[發明專利]供應液體用單元、具有該單元的處理基板用設備及方法

在審

• 申請號: 202010591142.5
• 申請日: 2020-06-24
• 公開（公告）號: CN112133645A
• 公開（公告）日: 2020-12-25
• 發明（設計）人: 李成洙;鄭富榮;崔氣勛;田明娥;樸修永
• 申請（專利權）人: 細美事有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 王皓

提供一種供應液體用單元、具有該單元的處理基板用設備及方法。用于處理基板的設備包括：處理容器，其具有處于所述處理容器內部的處理空間；基板支撐單元，其用于在所述處理空間中支撐基板；以及液體供應單元，其用于將處理液體供應至由所述基板支撐單元支撐的所述基板。所述液體供應單元包括：噴嘴；供應管線，其用于將所述處理液體供應至所述噴嘴且在所述供應管線中安裝有第一閥；以及排出管線，其自作為所述供應管線中所述第一閥下游的點的分支點分支，以自所述供應管線排出所述處理液體，且在所述排出管線中安裝有第二閥。在所述供應管線中，在所述分支點與所述噴嘴之間的區域中沒有閥。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2019年6月24日提交的、申請號為10-2019-0075144的韓國專利申請的優先權和權益，其全部內容通過引用結合在本申請中。

技術領域

本文所述的本發明概念的實施方案涉及一種用于處理基板的設備及方法，且更具體地涉及一種用于對基板執行液體處理的設備及方法。

背景技術

為了制造半導體裝置，所要圖案通過諸如光刻、蝕刻、灰化、離子植入以及薄膜沉積工藝的各種工藝形成于基板上。該等工藝是各種各樣的，且隨時間而變復雜，因此會產生污染物及粒子。因此，清潔工藝是于該等工藝之前及之后的階段中執行。

清潔工藝包括用于將化學物質供應至基板上的液體處理工藝。圖1為例示用于供應液體的典型單元的視圖。參照圖1，用于供應液體的單元具有液體供應管線2及閥6。液體供應管線2連接至噴嘴4以將液體供應至噴嘴4。閥6安裝于液體供應管線2中以打開或閉合液體供應管線2，以便供應液體或停止液體的供應。閥6通過對化學物質流過的流體通路執行打開或閉合操作來調整液體的供應。閥6的此種打開或閉合操作包括隔膜的碰撞過程，這是產生粒子的主要原因。

因此，供應含有粒子的化學物質會導致液體處理工藝失敗。

發明內容

本發明概念的實施方案提供一種能夠將純化液體供應至基板的設備。

本發明概念的實施方案提供一種能夠使液體供應管線的閥中的粒子的產生最小化的設備。

根據示范性實施方案，提供一種用于對基板執行液體處理的設備及方法。

用于處理基板的該設備包括：處理容器，該處理容器具有處于該處理容器內部的處理空間；基板支撐單元，該基板支撐單元用于在該處理空間中支撐基板；以及液體供應單元，該液體供應單元將處理液體供應至由該基板支撐單元支撐的該基板。該液體供應單元包括：噴嘴；供應管線，該供應管線將該處理液體供應至該噴嘴且在該供應管線中安裝有第一閥；以及排出管線，該排出管線自作為該供應管線中該第一閥下游的點的分支點分支以自該供應管線排出該處理液體，且具有安裝于該排出管線中的第二閥。在該供應管線中，在該分支點與該噴嘴之間的區域中沒有閥。

基于該分支點，該供應管線的下游區域的端部可以定位成高于該排出管線。

該下游區域的該端部可以定位成高于分支點。該下游區域的、自該分支點沿下游方向延伸的區域可以設置成具有彎曲形狀。該下游方向可以基于該分支點在該供應管線的上游區域中向下設置，且該彎曲形狀可以以凸面向上的形狀設置。

該液體供應單元還可以包括第一傳感器，該第一傳感器用于感測該下游區域中的該處理液體的第一水位。該下游區域可以包括：第一部分，該第一部分自該分支點延伸且具有該彎曲形狀；第二部分，該第二部分自該第一部分延伸，且設置在與該第一部分的位置成直線的位置處、或設置在低于該第一部分的該位置的位置處；以及第三部分，該第三部分自該第二部分延伸，定位成高于該第一部分且包括該端部。該第一傳感器可以安裝于該第三部分中。