[發(fā)明專利]一種帶導光結(jié)構(gòu)的光電二極管及其制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010591023.X | 申請日: | 2020-06-24 |
| 公開(公告)號: | CN112054073A | 公開(公告)日: | 2020-12-08 |
| 發(fā)明(設計)人: | 張江勇;楊健 | 申請(專利權(quán))人: | 廈門市三安集成電路有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0232 | 分類號: | H01L31/0232;H01L31/0216;H01L31/105;H01L31/18 |
| 代理公司: | 廈門市首創(chuàng)君合專利事務所有限公司 35204 | 代理人: | 張松亭;陳淑嫻 |
| 地址: | 361000 福建省廈門*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 帶導光 結(jié)構(gòu) 光電二極管 及其 制作方法 | ||
本發(fā)明公開了一種帶導光結(jié)構(gòu)的光電二極管及其制作方法,包括襯底、光電轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)和導光結(jié)構(gòu),光電轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)設于所述襯底之上且頂面設有收光口,導光結(jié)構(gòu)包括設于收光口之上的錐形導光孔和設于錐形導光孔內(nèi)側(cè)壁的高反射層,其中錐形導光孔由覆蓋光電轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)頂部的有機聚合物層開口形成,錐形導光孔的底部孔徑與所述收光口相對應,頂部孔徑大于底部孔徑。本發(fā)明在光電二極管光敏面上利用半導體微加工技術(shù)制作了一個具有較大收光孔徑的導光結(jié)構(gòu),可提高光纖耦合效率,降低封裝成本。
技術(shù)領域
本發(fā)明涉及半導體技術(shù)領域,尤其涉及一種帶導光結(jié)構(gòu)的光電二極管及其制作方法。
背景技術(shù)
隨著通訊技術(shù)的發(fā)展,用于光接收的光電探測器的速率要求越來越高。為了達到更高的速率,必須降低光電探測器的結(jié)電容,也就是減小收光面的直徑。目前,25G InGaAs高速探測器的光敏面直徑普遍在20μm左右,而更高速率的探測器光敏面直徑更小。小光敏面探測器導致耦合效率低,良品率差,直接影響高速光模塊產(chǎn)品的成本降低。
為了提升高速光電探測器的耦合效率,目前采用襯底背面集成微透鏡的技術(shù)方案。這一技術(shù)方案雖然可以降低耦合難度,但同時也存在明顯的弊端,比如增加了工藝復雜程度,良率偏低,并且芯片還需要filp-chip工藝,將芯片倒裝到載體上才能使用,芯片體積偏大。這些都導致芯片加工成本明顯增加。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)存在的不足,提供一種帶導光結(jié)構(gòu)的光電二極管及其制作方法。
為了實現(xiàn)以上目的,本發(fā)明的技術(shù)方案為:
一種帶導光結(jié)構(gòu)的光電二極管,包括襯底、光電轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)和導光結(jié)構(gòu);所述光電轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)設于所述襯底之上且頂面設有收光口,所述導光結(jié)構(gòu)包括設于所述收光口之上的錐形導光孔和設于所述錐形導光孔內(nèi)側(cè)壁的高反射層,其中所述錐形導光孔由覆蓋所述光電轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)頂部的有機聚合物層開口形成,所述錐形導光孔的底部孔徑與所述收光口相對應,頂部孔徑大于底部孔徑。
可選的,所述收光口的孔徑不大于30μm,所述錐形導光孔的頂部孔徑是所述收光口孔徑的1.1~10倍。
可選的,所述錐形導光孔的側(cè)壁與水平面的外夾角為30°~70°。
可選的,所述有機聚合物層具有感光特性,材料是PI(聚酰亞胺)、PMMA、光刻膠或BCB(苯并環(huán)丁烯),所述錐形導光孔的高度為3~100μm。
可選的,所述高反射層的在所述光電二極管的工作波段的反射率大于80%,厚度大于10nm。
可選的,所述高反射層的材料是金屬。
可選的,所述光電轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)包括PIN外延層、抗反射層、鈍化層和電極,所述PIN外延層設于所述襯底之上,所述鈍化層覆蓋所述PIN外延層的收光口之外的表面并設有讓位于電極連接的開口,所述抗反射層設于所述PIN外延層頂面的收光口內(nèi),所述電極通過所述開口與所述PIN外延層連接。
可選的,所述PIN外延層包括按序設于所述襯底之上的N型層、I層吸收區(qū)和P型層,所述電極包括連接所述N型層的N電極和連接所述P型層的P電極,其中所述P電極于所述P型層上環(huán)形設置,所述抗反射層設于環(huán)形內(nèi)部并形成所述收光口。
上述光電二極管的制作方法包括以下步驟:
1)于襯底上制作光電轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu);
2)涂覆有機聚合物并預處理形成有機聚合物層;
3)通過光刻技術(shù)于所述有機聚合物層形成對應所述收光口的錐形導光孔;
4)于所述錐形導光孔的內(nèi)側(cè)壁形成高反射層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
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