[發(fā)明專利]SnSe2

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010589913.7
• 申請日: 2020-06-24
• 公開（公告）號: CN111849484B
• 公開（公告）日: 2022-11-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳思繁;李向陽;趙煥成;朱海鷗
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳技術(shù)大學(xué)
• 主分類號: C09K11/88
• 分類號: C09K11/88;C09K11/02;B82Y20/00;B82Y40/00
• 代理公司: 深圳市力道知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44507
• 代理人: 張傳義

本申請公開了一種SnSe₂量子點的制備方法及SnSe₂量子點，該SnSe₂量子點的制備方法包括：將SnSe₂粉末進行破碎，以得到SnSe₂微米顆粒；在聚乙二醇中加入SnSe₂微米顆粒，以形成預(yù)設(shè)濃度的初始混合液；將初始混合液進行超聲預(yù)處理，以得到預(yù)處理混合液；將預(yù)處理混合液進行超聲破碎，以得到超聲混合液；將超聲混合液進行離心處理，并收集離心后的上清液，以得到分散在聚乙二醇中的SnSe₂量子點。該制備方法簡單，容易操作。通過上述制備方法制得的SnSe₂量子點具有熒光特性。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及量子點技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種SnSe₂量子點的制備方法及 SnSe₂量子點。

背景技術(shù)

量子點(Quantum Dots,QDs)是一類載流子在三個維度上均被限制的特殊結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體納米材料，與僅有一個維度處于納米尺度的二維半導(dǎo)體納米材料不同，當(dāng)半導(dǎo)體材料在三個維度上的尺寸均小于其波爾激子半徑時，受量子限域效應(yīng)的影響，電子和空穴在三維空間的運動受到束縛，連續(xù)的能帶結(jié)構(gòu)變成具有分子特性的分立能級結(jié)構(gòu)。目前，量子點在太陽能電池、發(fā)光器件、生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。

二維材料具有豐富的電學(xué)性能，其導(dǎo)電性能包含了絕緣體、半導(dǎo)體、半金屬和金屬。在電子、能源、催化等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。如圖1所示，二維(2D) 過渡金屬硫族化合物(Transition Metal Dichacogenides,TMDs)是指由過渡族金屬元素(M)和硫族非金屬元素(X)所形成的X-M-X類“三明治”結(jié)構(gòu)的化合物，例如MoS₂，MoSe₂，MoTe₂，WS₂，WSe₂，WTe₂，TiS₂，TaS₂，VS等。與石墨烯類似， 2D TMDs具有二維層狀結(jié)構(gòu)，層內(nèi)的金屬原子與硫族非金屬原子以共價鍵結(jié)合，而層與層之間存在較弱的范德華力。幾何尺寸在三個維度上均在量子限域效應(yīng)范圍之內(nèi)的準(zhǔn)零維納米結(jié)構(gòu)的二維過渡金屬硫族化合物量子點(2D-TMD QDs)材料的相關(guān)研究仍然較少。由于TMDs具有獨特的電子結(jié)構(gòu)，在電子器件、光子器件、催化、能源、環(huán)境等領(lǐng)域具有潛在的應(yīng)用價值；同時TMDs材料具有良好的生物相容性，因而2D-TMD QDs有望成為新一代低毒性量子點，在熒光標(biāo)記、醫(yī)療診斷、生物成像、生物傳感等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用。

SnSe₂具有與MoS₂類似的結(jié)構(gòu)，其中Sn層夾在兩個Se層之間以形成穩(wěn)定的“三層”結(jié)構(gòu)。SnSe₂屬于IVA-VIA族，其地球資源豐富且環(huán)境友好，低成本。然而目前的SnSe₂量子點制備方法比較繁瑣和復(fù)雜。

發(fā)明內(nèi)容

本申請?zhí)峁┝艘环NSnSe₂量子點的制備方法及SnSe₂量子點，旨在提供一種簡單，易于操作的制備方法，以制備具有熒光特性的SnSe₂量子點。

一方面，本申請?zhí)峁┝艘环NSnSe₂量子點的制備方法，包括：

將SnSe₂粉末進行破碎，以得到SnSe₂微米顆粒；

在聚乙二醇中加入所述SnSe₂微米顆粒，以形成預(yù)設(shè)濃度的初始混合液；

將所述初始混合液進行超聲預(yù)處理，以得到預(yù)處理混合液；

將所述預(yù)處理混合液進行超聲破碎，以得到超聲混合液；

將所述超聲混合液進行離心處理，并收集離心后的上清液，以得到分散在所述聚乙二醇中的SnSe₂量子點。