[發明專利]基于離子束濺射沉積的六方氮化硼厚膜及制備方法和應用有效
| 申請號： | 202010589908.6 | 申請日： | 2020-06-24 |
| 公開（公告）號： | CN111676450B | 公開（公告）日： | 2021-11-02 |
| 發明（設計）人： | 殷紅;李冬冬;高偉 | 申請（專利權）人： | 吉林大學 |
| 主分類號： | C23C14/06 | 分類號： | C23C14/06;C23C14/46;C23C14/02 |
| 代理公司： | 長春市恒譽專利代理事務所(普通合伙) 22212 | 代理人： | 李榮武 |
| 地址： | 130012 吉*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 離子束 濺射 沉積 氮化 硼厚膜 制備 方法 應用 | ||
【權利要求書】：
1.基于離子束濺射沉積的六方氮化硼厚膜的制備方法，其特征在于，所述六方氮化硼厚膜穩定性高、雜質含量少、絕緣性能好、膜厚可控，厚度為200 nm~1μm，且隨沉積時間增長，厚度也會增加，電阻率為5MΩcm以上，對300 nm至可見光波段的透光率為95 %以上；
所述基于離子束濺射沉積的六方氮化硼厚膜的制備方法將雙離子束濺射沉積和離子束刻蝕清洗結合，所述雙離子束濺射沉積包括以下步驟：
1)對離子束沉積室抽真空后加熱襯底，然后繼續抽真空，直至指定的背底真空;
2)通入氬氣至主離子源，氬氣和氮氣至輔助離子源，設置離子源濺射參數并起輝，在主離子源從靶材濺射的硼原子或硼和氮原子沉積到所述襯底表面的同時，利用輔助離子源提供的氮和氬離子持續轟擊所述襯底表面的氮化硼膜層，制備六方氮化硼厚膜；
所述背底真空為9×10-6 Pa以下；
所述加熱的襯底溫度為300~650 oC；
所述通入主離子源的氬氣流量為6~12 sccm，主離子源的能量為1500eV , 陽極電流為0.3~0.4 mA；
所述通入輔助離子源的氬氣和氮氣流量分別為1~6 sccm和1~9 sccm，輔助離子源的能量為280~400 eV，陽極電流為1.1~1.8mA。
2.根據權利要求1所述的基于離子束濺射沉積的六方氮化硼厚膜的制備方法所制備的六方氮化硼厚膜的應用。
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