[發明專利]微機電系統裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 202010589548.X
• 申請日: 2020-06-24
• 公開（公告）號: CN112141998A
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發明（設計）人: 陳亭蓉
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種制造微機電系統裝置的方法，其特征在于，包括：

在一基底層上形成多個壓電薄膜及多個金屬薄膜的一堆疊，其中所述多個壓電薄膜及所述多個金屬薄膜以一交替方式配置；

在所述多個壓電薄膜及所述多個金屬薄膜的該堆疊中蝕刻一第一溝槽；

在該第一溝槽的一側壁形成至少一孔隙；

在該至少一孔隙中形成一間隔結構；以及

在形成該間隔物結構之后，在該第一溝槽中形成一接觸件。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，其中形成至少一孔隙，使得該孔隙位于所述多個壓電薄膜中至少一者的一頂部部分，所述多個金屬薄膜中的一金屬薄膜形成在所述多個壓電薄膜中該至少一者上。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，其中在該至少一孔隙中形成該間隔結構，包括：

在該第一溝槽的該側壁上形成該間隔結構的一薄膜，其中該間隔結構填充在該第一溝槽的該側壁的該至少一孔隙；以及

移除該第一溝槽的該側壁上的該間隔結構的該薄膜，但保留在該第一溝槽的該側壁的該至少一孔隙中的該間隔結構。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，其中該第一溝槽不穿透所述多個壓電薄膜及所述多個金屬薄膜的該堆疊，且該方法進一步包括：

在該第一溝槽下方形成一第二溝槽以暴露該基底層，

其中該接觸件覆蓋該第一溝槽的該側壁、該第二溝槽的一側壁和該第二溝槽暴露的部分該基底層。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，進一步包括在一基底壓電薄膜上形成一基底金屬薄膜來制備該基底層，其中所述多個壓電薄膜及所述多個金屬薄膜的該堆疊形成在該基底金屬薄膜上。

6.一種制造微機電系統裝置的方法，其特征在于，包括：

在一基底層上沉積一第一壓電薄膜；

在該第一壓電薄膜的一第一頂部部分中形成非晶形結構；

在該第一壓電薄膜的該第一頂部部分上形成一第一金屬薄膜；

圖案化該第一金屬薄膜，以暴露該第一壓電薄膜的該第一頂部部分；

在該第一壓電薄膜中蝕刻一第一溝槽；

在該第一溝槽的一側壁形成一第一孔隙，其中該第一孔隙位于該第一頂部部分；

在該第一孔隙中形成一間隔結構；及

在該第一溝槽中形成一接觸件。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，其中形成該第一溝槽是透過進行一干蝕刻制程，且形成該第一孔隙是透過進行一濕刻蝕制程。

8.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，其中在該第一壓電薄膜的該第一頂部部分中形成非晶形結構，是透過在該第一壓電薄膜上執行一電漿處理；

其中在形成該第一金屬薄膜之前執行該電漿處理。

9.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，進一步包括：

在該第一金屬薄膜上形成一第二壓電薄膜；

在該第二壓電薄膜的一第二頂部部分中形成非晶形結構；

在該第二壓電薄膜的該第二頂部部分上形成一第二金屬薄膜；

圖案化該第二金屬薄膜，以暴露該第二壓電薄膜的該第二頂部部分，其中在該第一壓電薄膜及該第二壓電薄膜中形成該第一溝槽，且一第二孔隙位于該第二頂部部分；以及

在該第二孔隙中形成該間隔結構。

10.一種微機電系統裝置，其特征在于，包括：

一基底層；

多個壓電薄膜及多個金屬薄膜的一堆疊，形成在該基底層上，所述多個壓電薄膜及所述多個金屬薄膜以一交替方式配置，其中各該金屬薄膜包括一遠端部分相鄰于所述多個壓電薄膜的側壁，且所述多個金屬薄膜的所述多個遠端部分中的至少一者不與所述多個壓電薄膜接觸；

一間隔結構，相鄰于不與所述多個壓電薄膜接觸的所述多個遠端部分中的該至少一者；以及

一接觸件，覆蓋所述多個壓電薄膜及所述多個金屬薄膜的該堆疊的側壁并覆蓋該基底層的一部分。