[發明專利]無需副邊單獨供電的隔離型高占空比SSPC驅動電路在審
| 申請號: | 202010589387.4 | 申請日: | 2020-06-24 |
| 公開(公告)號: | CN111900863A | 公開(公告)日: | 2020-11-06 |
| 發明(設計)人: | 嵇保健;趙志宏;李益民;曹瑄 | 申請(專利權)人: | 南京理工大學 |
| 主分類號: | H02M1/08 | 分類號: | H02M1/08 |
| 代理公司: | 南京理工大學專利中心 32203 | 代理人: | 薛云燕 |
| 地址: | 210094 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 無需 單獨 供電 隔離 型高占空 sspc 驅動 電路 | ||
1.一種無需副邊單獨供電的隔離型高占空比SSPC驅動電路,其特征在于,包括占空比分離電路(1)、控制信號隔離電路(2)、占空比合成電路(3)和整形控制電路(4);
所述占空比分離電路(1),用于對大于50%占空比的控制信號進行分頻;
所述控制信號隔離電路(2),用于對控制信號進行隔離傳輸;
所述占空比合成電路(3),用于對分離占空比進行合成,將兩個低于50%的控制信號合成為高于50%的控制信號;
所述整形控制電路(4),用于對控制信號的波形進行整定。
2.根據權利要求1所述的無需副邊單獨供電的隔離型高占空比SSPC驅動電路,其特征在于,所述占空比分離電路(1)包括第一觸發器(DT1)、第一二極管(D1)、第二二極管(D2)、第一電阻(R1)、第一NPN型三極管(T1)、第一PNP型三極管(T2)、第二觸發器(DT2)、第三二極管(D3)、第四二極管(D4)、第二電阻(R2)、第二NPN型三極管(T3)和第二PNP型三極管(T4);
所述控制信號隔離電路(2)包括第一電容(C1)、第一隔離變壓器(TS1)、第三電阻(R3)、第二電容(C2)、第二隔離變壓器(TS2)和第四電阻(R4);
所述占空比合成電路(3)包括第五二極管(D5)、第六二極管(D6)、第五電阻(R5)、第三NPN型三極管(T5)、第三PNP型三極管(T6)、第七二極管(D7)、第三電容(C3)和第六電阻(R6);
所述整形控制電路(4)包括開關管(T7)、反激變壓器(TS3)、第八二極管(D8)和第四電容(C4)。
3.根據權利要求2所述的無需副邊單獨供電的隔離型高占空比SSPC驅動電路,其特征在于,所述占空比分離電路(1)中,第一觸發器(DT1)、第二觸發器(DT2)的時鐘端和第一二極管(D1)的陰極均連接PWM控制信號,第一觸發器(DT1)的輸出Q端連接第二二極管(D2)的陰極,第一二極管(D1)和第二二極管(D2)的陽極短接并與第一電阻(R1)的一端相連,第一電阻(R1)的另一端與原邊供電電源VCC1相連;第一二極管(D1)和第二二極管(D2)的陽極與第一NPN三極管(T1)和第一PNP三極管(T2)的Base極相連,第一NPN型三極管(T1)的集電極與原邊供電電源VCC1相連,第一PNP型三極管(T2)的集電極與原邊電源地EP1相連,第一NPN型三極管(T1)的發射極和第一PNP型三極管(T2)的發射極短接并與控制信號隔離電路(2)中第一電容(C1)的一端相連;
第二觸發器(DT2)的輸入D端與第二觸發器(DT2)的輸出非Q端相連,第二觸發器(DT2)的輸出Q端與第一觸發器(DT1)的輸入D端相連并同時連接到第三二極管(D3)的陰極;第四二極管(D4)的陰極連接PWM控制信號,第三二極管(D3)和第四二極管(D4)的陽極短接并與第二電阻(R2)的一端相連,第二電阻(R2)的另一端與原邊供電電源VCC1相連;第三二極管(D3)和第四二極管(D4)的陽極與第二NPN型三極管(T3)及第二PNP型三極管(T4)的Base極相連,第二NPN型三極管(T3)的集電極與原邊供電電源VCC1相連,第二PNP型三極管(T4)的集電極與原邊電源地EP1相連,第二NPN型三極管(T3)的發射極和第二PNP型三極管(T4)的發射極短接并與控制信號隔離電路(2)中第二電容(C2)的一端相連。
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H02M1-08 .為靜態變換器中的半導體器件產生控制電壓的專用電路
H02M1-10 .具有能任意地用不同種類的電流向負載供電的變換裝置的設備,例如用交流或直流
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