[發明專利]銦鎵鋅氧薄膜晶體管的摻雜方法

在審

• 申請號: 202010589015.1
• 申請日: 2020-06-24
• 公開（公告）號: CN111710609A
• 公開（公告）日: 2020-09-25
• 發明（設計）人: 李泠;段新綠;盧年端;耿玓;劉明
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/34
• 分類號: H01L21/34;H01L29/786;H01L21/443;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/417;H01L21/363
• 代理公司: 北京華沛德權律師事務所 11302
• 代理人: 房德權

1.一種銦鎵鋅氧薄膜晶體管的摻雜方法，其特征在于，所述方法包括：

在絕緣層襯底上形成銦鎵鋅氧薄膜作為有源層；

在所述有源層上形成柵介質層；

在所述柵介質層上形成柵電極；

根據所述柵電極的圖形，對所述柵介質層進行圖形化；

對所述有源層進行圖形化；

通過磁控濺射工藝對所述有源層的源漏區域進行摻雜處理，同時生長源漏電極或中間介質層。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，通過磁控濺射工藝對所述有源層的源漏區域進行摻雜處理，同時生長所述源漏電極，包括：

以惰性氣體作為摻雜源和濺射氣氛，以金屬靶材作為生長源，控制與所述惰性氣體對應的惰性元素在濺射所述金屬靶材生長所述源漏電極的同時，摻雜進入所述源漏區域。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，通過磁控濺射工藝對所述有源層的源漏區域進行摻雜處理，同時生長中間介質層，包括：

以惰性氣體作為摻雜源和濺射氣氛，以陶瓷靶材作為生長源，控制與所述惰性氣體對應的惰性元素在濺射所述陶瓷靶材生長所述中間介質層的同時，摻雜進入所述源漏區域。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在絕緣層襯底上形成銦鎵鋅氧薄膜，包括：

采用磁控濺射方法在所述絕緣層襯底上生長所述銦鎵鋅氧薄膜。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述有源層上形成柵介質層，包括：

通過化學氣相沉積法在所述有源層上生長所述柵介質層，且生長溫度為100℃-300℃。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述柵介質層上形成柵電極，包括：

采用電子束蒸發方法生長柵電極層，并采用剝離工藝對所述柵電極層進行圖形化，形成所述柵電極。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據所述柵電極的圖形，對所述柵介質層進行圖形化，包括：

根據所述柵電極的圖形，采用自對準工藝并通過干法刻蝕，對所述柵介質層進行圖形化。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對所述有源層進行圖形化，包括：

采用濕法刻蝕工藝，利用旋涂光刻膠被曝光后留下的圖案作為掩蔽，對所述有源層進行圖形化。

9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述生長源漏電極之后，所述方法還包括：

對所述源漏電極進行圖形化；

在所述絕緣層襯底、所述有源層、所述柵介質層、所述柵電極和所述源漏電極上形成鈍化層；

對所述源漏電極和柵電極上方的所述鈍化層進行圖形化，形成通孔，以露出所述源漏電極和所述柵電極的部分區域，形成所述共面型銦鎵鋅氧薄膜晶體管。

10.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述生長中間介質層之后，所述方法還包括：

對所述中間介質層進行圖形化，形成第一類通孔和第二類通孔，所述第一類通孔位于所述有源層的上方，所述第二類通孔位于所述柵電極的上方，以露出所述有源層和所述柵電極的部分區域；

在所述第一類通孔處的所述中間介質層和所述有源層上形成源漏電極，形成共面型銦鎵鋅氧薄膜晶體管。