[發明專利]電容器及其制備方法在審
| 申請號： | 202010588880.4 | 申請日： | 2020-06-24 |
| 公開（公告）號： | CN111900149A | 公開（公告）日： | 2020-11-06 |
| 發明（設計）人： | 崔基雄;項金娟;劉金彪;李亭亭 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所;真芯（北京）半導體有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L23/64 | 分類號： | H01L23/64;H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京辰權知識產權代理有限公司 11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電容器 及其 制備 方法 | ||
1.一種電容器，其特征在于，包括：
下電極；
HfO2層，位于所述下電極上；
上電極，位于所述HfO2層上；
所述HfO2層的材質選自四方晶相的HfO2。
2.根據權利要求1所述的電容器，其特征在于，還包括：
第一ZrO2層，位于所述下電極與所述HfO2層之間。
3.根據權利要求2所述的電容器，其特征在于，還包括：
第二ZrO2層，位于HfO2層與所述上電極之間。
4.根據權利要求2所述的電容器，其特征在于，還包括：
第一HfO2層，位于所述下電極與所述第一ZrO2層之間。
5.一種電容器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
形成下電極；
于所述下電極上形成介電層，所述介電層中包含HfO2；
對所述介電層進行激光退火處理；
于所述介電層上形成上電極。
6.根據權利要求5所述的電容器的制備方法，其特征在于，形成由HfO2組成的介電層。
7.根據權利要求5所述的電容器的制備方法，其特征在于，形成由HfO2和ZrO2組成的介電層。
8.根據權利要求7所述的電容器的制備方法，其特征在于，在所述下電極上先形成ZrO2層，然后在所述ZrO2層上形成HfO2層。
9.根據權利要求7所述的電容器的制備方法，其特征在于，形成HfO2層和ZrO2層交替結構的介電層。
10.根據權利要求9所述的電容器的制備方法，其特征在于，在所述下電極上先形成第一ZrO2層，在所述第一ZrO2層上形成HfO2層，然后在所述HfO2層上再形成第二ZrO2層。
11.根據權利要求9所述的電容器的制備方法，其特征在于，在所述下電極上先形成第一HfO2層，在所述第一HfO2層上形成ZrO2層，然后在所述ZrO2層上在形成第二HfO2層。
12.根據權利要求5-11任一項所述的制備方法，其特征在于，所述激光退火的過程包括在2ns-500ms內升溫至1400℃。
13.根據權利要求12所述的制備方法，其特征在于，所述激光退火的過程還包括以100℃-200℃/秒的速率升溫至200℃，然后在ns-500ms內繼續升溫，最后以50℃-100℃/秒的速率降溫。
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