[發(fā)明專利]級(jí)聯(lián)微型麥克風(fēng)及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010588675.8
• 申請(qǐng)日: 2020-06-24
• 公開（公告）號(hào): CN111770422A
• 公開（公告）日: 2020-10-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 孫福河;金文超;李佳;張小麗;聞?dòng)老?/a>
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 杭州士蘭集昕微電子有限公司
• 主分類號(hào): H04R19/00
• 分類號(hào): H04R19/00;H04R19/04;H04R31/00
• 代理公司: 北京成創(chuàng)同維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;張靖琳

1.一種級(jí)聯(lián)微型麥克風(fēng)，其中，包括：

多個(gè)微型麥克風(fēng)，所述多個(gè)微型麥克風(fēng)并聯(lián)連接；

其中，每個(gè)所述微型麥克風(fēng)包括：

襯底，所述襯底包括第一空腔；

第一犧牲層，位于所述襯底上，所述第一犧牲層包括第二空腔；

振膜層，所述振膜層的至少一部分由所述第一犧牲層支撐，位于所述第二空腔上方的所述振膜層形成振動(dòng)隔膜；

第二犧牲層，位于所述振膜層上，所述第二犧牲層包括第三空腔；

背極板層，位于所述第二犧牲層上，所述背極板層的至少一部分由所述第二犧牲層支撐，位于所述第三空腔上方的所述背極板層形成背極板，所述背極板包括至少一個(gè)聲孔；

第一鈍化層，位于所述振膜層和所述背極板層之間，所述第一鈍化層環(huán)繞所述第二犧牲層的內(nèi)側(cè)壁。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的級(jí)聯(lián)微型麥克風(fēng)，其中，在每個(gè)所述微型麥克風(fēng)的所述第一空腔、所述第二空腔和所述第三空腔中，所述第三空腔的尺寸最小。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的級(jí)聯(lián)微型麥克風(fēng)，其中，每個(gè)所述微型麥克風(fēng)的所述振動(dòng)隔膜和所述背極板形成電容，所述多個(gè)微型麥克風(fēng)的多個(gè)所述電容并聯(lián)連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的級(jí)聯(lián)微型麥克風(fēng)，其中，所述多個(gè)微型麥克風(fēng)中的所述襯底、所述第一犧牲層、所述振膜層和所述第二犧牲層相連，

相鄰的所述微型麥克風(fēng)的所述背極板層通過位于相鄰的所述微型麥克風(fēng)的所述背極板層之間所暴露出的所述第二犧牲層上的第一電極電連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的級(jí)聯(lián)微型麥克風(fēng)，其中，所述級(jí)聯(lián)微型麥克風(fēng)還包括：

第二電極，位于所述背極板層上，與所述背極板層電連接，

第三電極，位于所述第二犧牲層上，通過所述第二犧牲層的開口與所述振膜層電連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的級(jí)聯(lián)微型麥克風(fēng)，其中，所述級(jí)聯(lián)微型麥克風(fēng)還包括：

第二鈍化層，位于所述背極板層上，覆蓋暴露的所述第二犧牲層和部分所述背極板層和所述第一電極，暴露出所述第二電極、所述第三電極和所述背極板上的有效聲孔區(qū)域。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的級(jí)聯(lián)微型麥克風(fēng)，其中，所述微型麥克風(fēng)還包括：

防粘附層，位于所述第二鈍化層上，覆蓋所述級(jí)聯(lián)微型麥克風(fēng)的裸露表面，暴露出所述第二電極和所述第三電極。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的級(jí)聯(lián)微型麥克風(fēng)，其中，所述第一犧牲層的材料包括：二氧化硅，所述第一犧牲層的厚度包括：0.5至2um。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的級(jí)聯(lián)微型麥克風(fēng)，其中，所述振膜層的材料包括：摻雜的多晶硅，所述振膜層的厚度包括：0.3至1um。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的級(jí)聯(lián)微型麥克風(fēng)，其中，所述第二犧牲層的材料包括：二氧化硅，所述第二犧牲層的厚度包括：1至4um。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的級(jí)聯(lián)微型麥克風(fēng)，其中，所述第一鈍化層的材料包括：氮化硅、氮化硼、碳化硅中的一種。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的級(jí)聯(lián)微型麥克風(fēng)，其中，所述背極板層的材料包括：摻雜的多晶硅，所述背極板層的厚度包括：1至3um。

13.根據(jù)權(quán)利要求5所述的級(jí)聯(lián)微型麥克風(fēng)，其中，所述第一電極、所述第二電極和所述第三電極的材料包括：金屬、合金，所述第一電極、所述第二電極和所述第三電極的厚度包括：0.5至2um。

14.根據(jù)權(quán)利要求6所述的級(jí)聯(lián)微型麥克風(fēng)，其中，所述第二鈍化層的材料包括：氮化硅、氮化硼、碳化硅中一種。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的級(jí)聯(lián)微型麥克風(fēng)，其中，所述襯底的材料包括：單晶硅，所述襯底的厚度包括：300至400um。