[發(fā)明專利]一種碳量子點(diǎn)/納米銀修飾泡沫鎳電極的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010588314.3 | 申請(qǐng)日： | 2020-06-24 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN111912890B | 公開（公告）日： | 2022-08-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 程有亮;常雪迎;陳靜;方長(zhǎng)青;韋瑩 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 西安理工大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | G01N27/327 | 分類號(hào)： | G01N27/327;G01N27/30 |
| 代理公司： | 西安弘理專利事務(wù)所 61214 | 代理人： | 王丹 |
| 地址： | 710048 陜*** | 國(guó)省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 量子 納米 修飾 泡沫 電極 制備 方法 | ||
1.一種碳量子點(diǎn)/納米銀修飾泡沫鎳電極的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟1、制備納米銀溶液；
步驟2、制備碳量子點(diǎn)水溶液：
將F127、葡萄糖、去離子水的混合溶液加入反應(yīng)釜中，然后將所述反應(yīng)釜置于干燥箱內(nèi)熱處理后，得到的反應(yīng)液，對(duì)所述反應(yīng)液離心分離得到上層清液，即為碳量子點(diǎn)水溶液；
步驟3，沉積納米銀：
將所述納米銀溶液作為電解液，以泡沫鎳作為工作電極進(jìn)行沉積，沉積結(jié)束后對(duì)電極進(jìn)行干燥，得到修飾電極；
步驟4，沉積碳量子點(diǎn)：
將所述碳量子點(diǎn)水溶液作為電解液，以所述修飾電極作為工作電極進(jìn)行沉積，沉積結(jié)束后對(duì)電極進(jìn)行干燥，得到碳量子點(diǎn)/納米銀修飾泡沫鎳電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碳量子點(diǎn)/納米銀修飾泡沫鎳電極的制備方法，其特征在于，步驟1所述制備納米銀溶液的方法為：
將檸檬酸三鈉溶液和硝酸銀溶液分別預(yù)熱后進(jìn)行混合，對(duì)混合液加熱煮沸至溶液變?yōu)闇\黃色，得到納米銀溶液。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種碳量子點(diǎn)/納米銀修飾泡沫鎳電極的制備方法，其特征在于，所述檸檬酸三鈉溶液的濃度為0.5～5g/L，所述硝酸銀溶液的濃度為0.02～0.2g/L，所述檸檬酸三鈉溶液和硝酸銀溶液的體積比1：1～1：4。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種碳量子點(diǎn)/納米銀修飾泡沫鎳電極的制備方法，其特征在于，所述檸檬酸三鈉溶液、硝酸銀溶液的預(yù)熱溫度均為60～90℃，混合后保溫時(shí)間為0.2～2h。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碳量子點(diǎn)/納米銀修飾泡沫鎳電極的制備方法，其特征在于，步驟2中所述F127的濃度為0.3～0.9g/L，所述葡萄糖的濃度為0.81～8.1g/L。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碳量子點(diǎn)/納米銀修飾泡沫鎳電極的制備方法，其特征在于，步驟2中所述熱處理的溫度為180～220℃，熱處理時(shí)間為24～48h。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碳量子點(diǎn)/納米銀修飾泡沫鎳電極的制備方法，其特征在于，步驟3中所述沉積過(guò)程中：沉積電壓為4～6V，沉積時(shí)間1～4h。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種碳量子點(diǎn)/納米銀修飾泡沫鎳電極的制備方法，其特征在于，步驟4中所述沉積過(guò)程中：沉積電位為3～5V，沉積時(shí)間4～8h。
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