[發明專利]面向公共物品抑菌表面的一種超快激光制備方法

在審

• 申請號: 202010587737.3
• 申請日: 2020-06-24
• 公開（公告）號: CN111774731A
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 管迎春;崔智銓
• 申請（專利權）人: 北京航空航天大學
• 主分類號: B23K26/352
• 分類號: B23K26/352;B23K26/60;B23K26/70
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.面向公共物品抑菌表面的一種超快激光制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)對材料表面進行機械拋光處理，拋光后進行超聲清洗并烘干。

(2)將第一步處理后的材料放置于超快激光加工平臺上，調整激光束使其焦點位于樣件表面，設置激光工藝參數，進行加工，得到具有抑菌性能的微納結構表面。

(3)對加工后的材料進行清洗并烘干。

2.根據權利要求1所述的面向公共物品抑菌表面的一種超快激光制備方法，其特征在于：本方法主要針對公共場所中的日常用品如水龍頭、門把手等。

3.根據權利要求1所述的面向公共物品抑菌表面的一種超快激光制備方法，其特征在于：所述的材料為用于權利要求2所述的公共物品的常用材料，包括不銹鋼、鈦合金、鉻基合金、鎂合金等金屬材料；玻璃、陶瓷等非金屬材料；以及硅膠、聚乳酸、聚碳酸酯等高分子材料。

4.根據權利要求1所述的面向公共物品抑菌表面的一種超快激光制備方法，其特征在于：步驟(2)所述的激光工藝參數具體為：激光波長為193nm-1070nm，激光脈寬為50fs-50ns，脈沖頻率為1kHz-1MHz，激光功率為1W-2000W，掃描速度為1mm/s-5000mm/s。

5.根據權利要求1所述的面向公共物品抑菌表面的一種超快激光制備方法，其特征在于：步驟(2)所述的微納結構為凹坑陣列結構、凹槽結構、交錯網格結構、LIPSS結構以及上述結構的組合。

6.根據權利要求5所述的面向公共物品抑菌表面的一種超快激光制備方法，其特征在于：所述凹槽寬度為1μm-100μm，凹槽間隔為0-100μm，凹槽深度為1μm-100μm；凹坑直徑50nm-100μm，凹坑深度100nm-100μm，間距為50nm-5μm；LIPSS結構周期為20nm-2μm。