[發明專利]一種基于CMOS工藝的太赫茲三倍頻器

有效

• 申請號: 202010587732.0
• 申請日: 2020-06-24
• 公開（公告）號: CN111682848B
• 公開（公告）日: 2023-09-22
• 發明（設計）人: 楊自強;楊濤
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H03B19/14
• 分類號: H03B19/14
• 代理公司: 電子科技大學專利中心 51203
• 代理人: 甘茂

1.一種基于CMOS工藝的太赫茲三倍頻器，包括：晶體管NMOS1、晶體管NMOS2、柵極偏置電路、漏極偏置電路、兩個3次諧波空閑電路、兩個基波空閑電路、輸入傳輸線變壓器及輸出傳輸線變壓器；其特征在于，所述晶體管NMOS1與NMOS2的柵極分別連接3次諧波空閑電路，兩個3次諧波空閑電路的另一端分別與輸入傳輸線變壓器的兩個輸出端口連接；所述晶體管NMOS1與NMOS2的的源極分別連接電感后接地；所述晶體管NMOS1與NMOS2的漏極分別連接基波空閑電路，兩個基波空閑電路的另一端分別與輸出傳輸線變壓器的兩個輸出端口相連；所述柵極偏置電路與輸入傳輸線變壓器的中心抽頭相連，所述漏極偏置電路與輸出傳輸線變壓器的中心抽頭相連；所述輸入傳輸線變壓器的輸入端作為基波信號輸入端，所述輸出傳輸線變壓器的輸入端作為三倍頻信號輸出端；所述3次諧波空閑電路均采用并聯1/4波長開路線實現，所述基波空閑電路均采用電感和電容組成的串聯諧振電路實現。

2.按權利要求1所述基于CMOS工藝的太赫茲三倍頻器，其特征在于，所述柵極偏置電路由串聯電阻R1和并聯電容C1組成。

3.按權利要求1所述基于CMOS工藝的太赫茲三倍頻器，其特征在于，所述漏極偏置電路由并聯電容C2實現。

4.按權利要求1所述基于CMOS工藝的太赫茲三倍頻器，其特征在于，所述輸入傳輸線變壓器與輸出傳輸線變壓器均采用寬邊耦合結構實現。