[發明專利]一種針對射頻芯片熱集中點的三維堆疊散熱模組制作方法

有效

• 申請號: 202010587711.9
• 申請日: 2020-06-24
• 公開（公告）號: CN111653491B
• 公開（公告）日: 2021-12-17
• 發明（設計）人: 馮光建
• 申請（專利權）人: 浙江集邁科微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/48;H01L23/367;H01L23/473
• 代理公司: 杭州天昊專利代理事務所(特殊普通合伙) 33283
• 代理人: 董世博

1.一種針對射頻芯片熱集中點的三維堆疊散熱模組制作方法，其特征在于：具體包括如下步驟：

101）上散熱底座制作步驟：上散熱底座包括上層和下層，在上層和下層表面都通過沉積氧化硅或者氮化硅，或者直接熱氧化形成絕緣層，通過物理濺射，磁控濺射或者蒸鍍工藝在絕緣層上方制作種子層；在種子層上制作RDL；

在上層和下層的上表面都通過光刻和刻蝕工藝制作微流溝槽；其中，微流溝槽直接通過射頻芯片發熱點區域，或者微流溝槽均勻分布在射頻芯片發熱點之外的區域；

將上層和下層的上表面通過共晶鍵合工藝形成內部具有微流通的上散熱底座；

102）散熱底座制作步驟：重復步驟101）制作下散熱底座，將上散熱底座和下散熱底座通過共晶鍵合工藝進行鍵合；其中，上散熱底座和下散熱底座的微流溝槽呈交叉分布的方式進行堆疊設置；

103）芯片集成步驟：在散熱底座表面的相應位置處貼合射頻芯片，形成三維堆疊散熱模組。

2.根據權利要求1所述的一種針對射頻芯片熱集中點的三維堆疊散熱模組制作方法，其特征在于：RDL制作過程包括RDL走線和焊盤，通過沉積氧化硅或者氮化硅制作絕緣層，并通過光刻、干法刻蝕使芯片PAD露出；通過光刻，電鍍工藝進行RDL走線布置，其中RDL走線采用銅、鋁、鎳、銀、金、錫中的一種或多種混合，其結構采用一層或多層結構，厚度范圍為10nm到1000um；通過光刻，電鍍工藝制作鍵合金屬形成焊盤，焊盤開窗直徑在10um到10000um之間。

3.根據權利要求2所述的一種針對射頻芯片熱集中點的三維堆疊散熱模組制作方法，其特征在于：在RDL表面再覆蓋絕緣層，并通過開窗工藝露出焊盤。

4.根據權利要求2所述的一種針對射頻芯片熱集中點的三維堆疊散熱模組制作方法，其特征在于：絕緣層厚度范圍在10nm到100um之間；種子層本身結構為一層或多層結構，厚度范圍都在1nm到100um，材質采用鈦、銅、鋁、銀、鈀、金、鉈、錫、鎳中的一種或多種混合；絕緣層厚度范圍在10nm到1000um。

5.根據權利要求1所述的一種針對射頻芯片熱集中點的三維堆疊散熱模組制作方法，其特征在于：微流溝槽深度范圍在10um到700um，長度范圍在100um到10mm之間。

6.根據權利要求1所述的一種針對射頻芯片熱集中點的三維堆疊散熱模組制作方法，其特征在于：下散熱底座的微流溝槽采用垂直分布的微流溝槽。