[發明專利]一種應用于6G通信的三維發夾濾波器有效
| 申請號: | 202010587635.1 | 申請日: | 2020-06-24 |
| 公開(公告)號: | CN111934070B | 公開(公告)日: | 2021-10-22 |
| 發明(設計)人: | 王鳳娟;柯磊;余寧梅;楊媛;朱樟明;尹湘坤 | 申請(專利權)人: | 西安理工大學 |
| 主分類號: | H01P1/203 | 分類號: | H01P1/203 |
| 代理公司: | 西安弘理專利事務所 61214 | 代理人: | 王丹 |
| 地址: | 710048 陜*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 應用于 通信 三維 發夾 濾波器 | ||
本發明公開了一種應用于6G通信的三維發夾濾波器,包括平行排列的發夾單元列和上接地RDL,發夾單元列由多個發夾單元間隔排列組成,發夾單元一端為信號TSV,相對的另一端為信號RDL,相鄰發夾單元的上下端面結構相反,發夾單元列兩端頂部設置有相對稱的信號饋線,發夾單元列兩端端部的發夾單元頂面均為信號RDL,上接地RDL頂部設置有與信號饋線相對的接地饋線,上接地RDL底部設置有下接地RDL,上接地RDL和下接地RDL之間設置有與信號TSV相對的接地TSV,信號TSV和接地TSV嵌入在同一硅襯底中。本發明三維發夾濾波器采用TSV技術成功實現了三維發夾濾波器在THz頻段的設計,采用四臂發夾單元提高了濾波器通帶內回波損耗,使得性能提高。
技術領域
本發明屬于電子通信技術領域,涉及一種應用于6G通信的三維發夾濾波器。
背景技術
5G通信技術已經進入商用階段。其具有高速的信號傳輸速率和更寬的信道。6G通信技術是未來的通信技術發展的必然趨勢。6G通信工作在THz頻段。THz的工作頻段范圍從0.1THz到10THz。2019年世界無線電通信大會(WRC-19)批準了275GHz-450GHz的寬帶資源可以用于移動通信業務。其中,356GHz-450GHz頻段帶寬最大,可以提供最高的信道資源。作為微波通信的重要組件,無源濾波器一直受到廣泛的關注和應用。作為結構簡單、尺寸小、成本低、可集成度高的無源濾波器,微帶發夾濾波器得到了最普遍的運用。
在100GHz以下頻段,微帶線具有優良的傳輸性能和較低的傳輸損耗,可實現較好的信號傳輸。但是進入THz頻段后,微帶線的傳輸損耗急劇增大,不再滿足濾波器性能的要求。幸而TSV在THz頻段能夠實現很好的信號傳輸功能。
TSV,全拼是“Through Silicon Via”,中文意思為“穿過硅片通道”,通常稱為“硅通孔”。TSV是三維集成技術的重要成果之一,其利用短的垂直電連接或通過硅晶片的通孔,以建立從芯片的有效側到背面的電連接。RDL,又稱“重布線層”,由金屬沉積形成的金屬層,屬于一種封裝技術的組成部分。
研究發現TSV在高頻下具有無可比擬的優良電氣性能,可以實現低損耗的信號傳輸。而且TSV技術的引進使得發夾濾波器從平面結構轉變到三維結構,更加易于集成。
發明內容
本發明的目的是提供一種應用于6G通信的三維發夾濾波器,解決了現有濾波器在進入THz頻段后,傳輸損耗急劇增大的問題。
本發明所采用的技術方案是,一種應用于6G通信的三維發夾濾波器,包括平行排列的發夾單元列和上接地RDL,發夾單元列由多個發夾單元間隔排列組成,發夾單元一端為信號TSV,相對的另一端為信號RDL,相鄰發夾單元的上下端面結構相反,發夾單元列兩端頂部設置有相對稱的信號饋線,發夾單元列兩端端部的發夾單元頂面均為信號RDL,上接地RDL頂部設置有與信號饋線相對的接地饋線,上接地RDL底部設置有下接地RDL,上接地RDL和下接地RDL之間設置有與信號TSV相對的接地TSV,信號TSV和接地TSV嵌入在同一硅襯底中。
本發明的技術特征還在于,
發夾單元列頂面與上接地RDL頂面平齊,發夾單元列底面與下接地RDL底面平齊。
發夾單元列由五個發夾單元呈“一”字形間隔排列組成。
每個發夾單元包括四個信號TSV,同一發夾單元上相鄰信號TSV的中心間距相等。
發夾單元端部的信號TSV外側側面與信號RDL側面平齊。
信號TSV和接地TSV的規格相同。
信號饋線和接地饋線的規格相同。
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