[發(fā)明專利]具有納米孿晶結(jié)構(gòu)的純鎳或鎳基合金鍍層及其電沉積制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010587604.6 | 申請日: | 2020-06-24 |
| 公開(公告)號: | CN112239874B | 公開(公告)日: | 2023-04-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 段峰輝;潘杰;李毅 | 申請(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院金屬研究所 |
| 主分類號: | C25D3/16 | 分類號: | C25D3/16;C25D3/56;C25D5/08;C25D5/40 |
| 代理公司: | 沈陽科苑專利商標(biāo)代理有限公司 21002 | 代理人: | 于曉波 |
| 地址: | 110016 遼*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 納米 結(jié)構(gòu) 合金 鍍層 及其 沉積 制備 方法 | ||
1.一種具有納米孿晶結(jié)構(gòu)的純鎳或鎳合金鍍層的電沉積制備方法,其特征在于:所述具有納米孿晶結(jié)構(gòu)的純鎳或鎳合金鍍層采用直流電沉積技術(shù)制備,所用鍍液采用檸檬酸鹽體系,即檸檬酸根離子為絡(luò)合劑;所述鍍液的原料組成如下:
硫酸鎳六水???????????????40~400?g/L;
氯化鎳六水???????????????5~40?g/L;
檸檬酸三鈉二水???????????40~160g/L;
鉬酸鈉二水???????????????0~10?g/L;
硫酸鈷七水???????????????0~50?g/L;
硫酸銅六水???????????????0~50?g/L;
十二烷基硫酸鈉???????????0.05~0.20?g/L;
糖精鈉???????????????????0.5~5.0?g/L;
1,4丁炔二醇??????????????0.3~0.9?g/L;
冰乙酸???????????????????0.01-0.20?g/L;
水???????????????????????余量;
其中:所述鍍液的pH值為6.0-8.0,鍍液溫度為40~80℃;采用直流電沉積技術(shù)制備鍍層時,電流密度20~100?mA/cm2,電沉積時間為1-10?h,陽極采用純度為99.6?wt.%的純鎳板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有納米孿晶結(jié)構(gòu)的純鎳或鎳合金鍍層的電沉積制備方法,其特征在于:當(dāng)電沉積制備純鎳鍍層時,鍍液中鉬酸鈉二水、硫酸鈷七水和硫酸銅六水含量均為0;當(dāng)電沉積制備鎳鉬合金鍍層時,鍍液中鉬酸鈉二水含量為大于0且小于等于10?g/L,且硫酸鈷七水和硫酸銅六水含量為0;當(dāng)電沉積制備鎳鈷合金鍍層時,鍍液中硫酸鈷七水含量為大于0且小于等于50?g/L,且鉬酸鈉二水和硫酸銅六水含量為0;當(dāng)電沉積制備鎳銅合金鍍層時,鍍液中硫酸銅六水含量為大于0且小于等于50?g/L,且鉬酸鈉二水和硫酸鈷七水含量為0;所得鎳基合金中鉬、鈷或銅含量相應(yīng)地隨鉬酸鈉二水、硫酸鈷七水和硫酸銅六水含量增加而增加,最高可達(dá)10?at.%、40?at.%和30?at.%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有納米孿晶結(jié)構(gòu)的純鎳或鎳合金鍍層的電沉積制備方法,其特征在于:所述鍍液中添加劑糖精鈉的含量1.0~2.5?g/L,1,4丁炔二醇的含量為0.4~0.7g/L。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有納米孿晶結(jié)構(gòu)的純鎳或鎳合金鍍層的電沉積制備方法,其特征在于:所述電沉積制備方法包括如下步驟:
(1)鍍液配置:先按所述鍍液配比將硫酸鎳六水、氯化鎳六水、檸檬酸三鈉二水、鉬酸鈉二水、硫酸鈷七水和硫酸銅六水溶于去離子水中,攪拌溶解后濾紙過濾;然后在濾液中按比例加入添加劑十二烷基硫酸鈉、糖精鈉、1,4丁炔二醇和冰乙酸,得到所述鍍液;
(2)將步驟(1)所得鍍液采用10wt.%氫氧化鈉溶液調(diào)節(jié)pH值至6.0-8.0;
(3)采用直流電沉積的方法進(jìn)行鍍層制備,電沉積過程中采用磁力攪拌,攪拌速度為1000~1500?r/min。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有納米孿晶結(jié)構(gòu)的純鎳或鎳合金鍍層的電沉積制備方法,其特征在于:基底電鍍前,依次進(jìn)行打磨、拋光和表面除油,并在稀硫酸中進(jìn)行超聲活化。
6.一種利用權(quán)利要求1-5任一所述方法制備的具有納米孿晶結(jié)構(gòu)的純鎳或鎳合金鍍層,其特征在于:所述具有納米孿晶結(jié)構(gòu)的純鎳及鎳基合金的微觀結(jié)構(gòu)均由柱狀晶粒組成,柱狀晶寬度從10?nm到500?nm,柱狀晶長度從100?nm到3000?nm;在柱狀晶粒內(nèi)部含有大量平行排列的孿晶片層,孿晶片層所在平面與柱狀晶軸向垂直,孿晶片層平均厚度可以精確調(diào)控,從1.0?nm到100?nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的具有納米孿晶結(jié)構(gòu)的純鎳或鎳合金鍍層,其特征在于:所述純鎳、鎳鈷或鎳銅鍍層厚度可以達(dá)到200?μm,鎳鉬合金鍍層厚度可以達(dá)到30?μm;含有孿晶的柱狀晶占所有晶粒的體積分?jǐn)?shù)可達(dá)100%。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國科學(xué)院金屬研究所,未經(jīng)中國科學(xué)院金屬研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010587604.6/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:燃料電池系統(tǒng)
- 下一篇:振蕩電路
- 卡片結(jié)構(gòu)、插座結(jié)構(gòu)及其組合結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)平臺結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)支撐結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)支撐結(jié)構(gòu)
- 單元結(jié)構(gòu)、結(jié)構(gòu)部件和夾層結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)扶梯結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)隔墻結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)連接結(jié)構(gòu)
- 螺紋結(jié)構(gòu)、螺孔結(jié)構(gòu)、機(jī)械結(jié)構(gòu)和光學(xué)結(jié)構(gòu)
- 螺紋結(jié)構(gòu)、螺孔結(jié)構(gòu)、機(jī)械結(jié)構(gòu)和光學(xué)結(jié)構(gòu)





