[發明專利]混合的雜混接合結構及形成混合的雜混接合結構的方法

在審

• 申請號: 202010587592.7
• 申請日: 2020-06-24
• 公開（公告）號: CN112563235A
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發明（設計）人: S.利夫;A.埃爾舍比尼;J.斯萬;N.楚諾達;姚計敏
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L21/60
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 陳涵瀛;姜冰

1.一種微電子結構，包括：

襯底接合層，所述襯底接合層包括：

復合介電層，所述復合介電層包括有機介電材料和無機填充材料；以及

所述復合有機介電層內的一個或多個導電襯底互連結構；以及

管芯，所述管芯包括管芯接合層，所述管芯接合層包括：

管芯介電層；以及

所述管芯介電層內的一個或多個導電管芯互連結構，其中所述管芯接合層與所述襯底接合層直接接觸，并且其中所述一個或多個導電襯底互連結構中的至少一個與所述一個或多個導電管芯互連結構中的至少一個直接接觸。

2.如權利要求1所述的微電子結構，其中所述導電管芯互連結構或所述導電襯底互連結構中的至少一個在垂直于所述襯底接合層和所述管芯接合層之間的接合界面的方向上具有比所述復合有機介電層的熱膨脹系數（CTE）大至少30%的CTE。

3.如權利要求1所述的微電子結構，進一步包括與所述復合介電層直接接觸并且與所述管芯介電層直接接觸的涂層。

4.如權利要求3所述的微電子結構，其中所述涂層具有在10nm和1600nm之間的厚度。

5.如權利要求1所述的微電子結構，其中所述有機介電材料包括環氧材料或旋涂玻璃材料中的一種或多種，并且其中所述無機填充材料包括硅石、倍半硅氧烷材料、氮化硅、碳化硅、氧化鋁或金剛石中的一種或多種，并且其中所述有機介電材料包括按重量計大約70%至按重量計大約95%之間的所述無機填充材料。

6.如權利要求５所述的微電子結構，其中所述管芯介電層包括無機介電材料。

7.如權利要求1所述的微電子結構，其中所述無機填充材料的至少一部分與所述管芯接合層的所述無機介電層共價接合。

8.如權利要求1所述的微電子結構，其中所述一個或多個導電管芯互連結構包括鄰近第二導電管芯互連結構的第一導電管芯互連結構，其中所述第一導電管芯互連結構和所述第二導電管芯互連結構之間的間距小于50微米。

9.如權利要求1所述的微電子結構，其中所述襯底接合層的頂表面、所述管芯接合層的頂表面和所述一個或多個導電管芯互連結構的頂表面以及所述一個或多個導電管芯互連結構不含焊料，并且不含底部填充材料。

10.一種微電子結構，包括：

封裝襯底；

所述封裝襯底上的介電層，其中所述介電層的至少一部分在有機介電材料內包括無機填充材料；

所述有機介電層內的一個或多個導電襯底互連結構；

管芯，所述管芯包括管芯接合層，所述管芯接合層包括：

管芯介電層；以及

所述管芯介電層內的一個或多個導電管芯互連結構，其中所述管芯接合層直接在所述介電層上，其中所述一個或多個導電襯底互連結構直接在所述一個或多個導電管芯互連結構上。

11.如權利要求10所述的微電子結構，其中所述管芯介電層包括管芯有機介電材料，其中無機填充材料在所述管芯有機介電材料內，并且其中所述介電層包括有機介電材料，其中無機填充材料在所述有機介電材料內。

12.如權利要求10所述的微電子結構，其中所述介電層包括：包括有機介電材料的第一部分，其中無機填充材料在所述有機介電材料的所述第一部分內；以及包括不含無機填充材料的無機介電材料的第二部分，其中所述第二部分共價接合到所述管芯介電層，并且其中所述第一部分的所述無機填充材料共價接合到所述管芯介電層。

13.如權利要求12所述的微電子結構，其中所述第一部分包括按重量計70%至按重量計95%之間的所述無機填充材料。