[發明專利]基板處理設備

在審

• 申請號: 202010587316.0
• 申請日: 2020-06-24
• 公開（公告）號: CN112309900A
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發明（設計）人: 鄭元基;李主日;張夏碩
• 申請（專利權）人: ASMIP私人控股有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01J37/32;C23C16/54
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 焦玉恒

一種具有改進的排氣結構的基板處理設備包括接地的導電延伸部，其配置成防止在連接到反應空間的排氣空間中產生寄生等離子體?；逄幚碓O備防止在反應空間以外的區域比如反應空間中產生寄生等離子體。因此，可以防止功率損失并且可以實現穩定的等離子體處理。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2019年7月30日在美國專利商標局提交的美國臨時專利申請號62/880,637的權益，其全部公開內容通過引用合并于此。

技術領域

一個或多個實施例涉及一種基板處理設備，更具體地，涉及一種具有改進的排氣結構的基板處理設備。

背景技術

在半導體沉積處理中，與熱處理相比，可以在低溫下執行等離子體處理，因此可以減少對半導體器件的熱沖擊。此外，隨著施加到半導體沉積設備的熱沖擊減小，可以提高設備的耐用性和組成部件的壽命，因此等離子體處理被應用于許多過程。

在使用等離子體的沉積處理中，通過向供應到反應空間的反應氣體施加RF功率以使反應氣體離子化來產生等離子體。離子化的反應氣體被激活以與基板反應，從而在基板上形成薄膜。韓國專利公開號10-2019-0032077和韓國專利號10-1680379公開了使用等離子體的上述沉積處理。

韓國專利公開號10-2019-0032077公開了一種原子層沉積系統，作為使用等離子體的沉積處理。詳細地，該文獻公開了的原子層沉積系統具有通過連接到泵管的泵將反應室內的氣體排出的結構。

為了盡可能提高等離子體處理的效率，需要在反應空間中的基板上形成等離子體。然而，在除反應空間以外的區域例如排氣管線中產生的寄生等離子體可能導致反應空間中的等離子體處理的效率降低。

發明內容

一個或多個實施例包括一種基板處理設備，其可以防止在反應空間以外的區域比如排氣空間中產生寄生等離子體。

一個或多個實施例包括具有排氣結構的基板處理設備，該排氣結構通過減小排氣空間的體積來實現有效的排出。

另外的方面將在下面的描述中部分地闡述，并且部分地從描述中將是顯而易見的，或者可以通過實踐本公開的所呈現的實施例而獲知。

根據一個或多個實施例，一種基板處理設備包括：基板支撐單元，其配置為支撐基板；處理單元，其設置在基板支撐單元上方，其中，反應空間限定在基板支撐單元與處理單元之間；排氣單元，其提供連接到反應空間的排氣空間；以及導電延伸部，其圍繞排氣空間的至少一部分。

導電延伸部可以配置成防止在排氣空間中產生寄生等離子體。

導電延伸部可以接地。

導電延伸部可以具有與基板的形狀相對應的形狀的圓周。

排氣單元可以包括設置在反應空間和排氣空間之間的阻擋壁，并且阻擋壁的第一表面可以限定反應空間，并且阻擋壁的第二表面可以限定排氣空間。

導電延伸部可以沿著阻擋壁的第二表面延伸。

導電延伸部可以與阻擋壁接觸。

基板處理設備還可以包括支撐部，其支撐處理單元和排氣單元，其中排氣單元設置在處理單元和支撐部之間。

處理單元可以用作限定反應空間的上表面的第一蓋，排氣單元可以用作限定反應空間的側表面的第二蓋。

排氣單元可以包括：阻擋壁，其設置在反應空間和排氣空間之間；外壁，其設置成平行于阻擋壁并與支撐部接觸；以及連接壁，其連接阻擋壁和外壁并提供與處理單元的接觸表面，并且導電延伸部沿著阻擋壁、連接壁、外壁和支撐部延伸。

導電延伸部可以電連接到支撐部，以允許導電延伸部和支撐部具有相同的電勢。