[發(fā)明專利]GaN功率管驅(qū)動電路、驅(qū)動方法及相應的電子裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010586743.7 | 申請日: | 2020-06-24 |
| 公開(公告)號: | CN111654178A | 公開(公告)日: | 2020-09-11 |
| 發(fā)明(設計)人: | 張程龍;郭春明;李盛峰 | 申請(專利權)人: | 華源智信半導體(深圳)有限公司 |
| 主分類號: | H02M1/08 | 分類號: | H02M1/08 |
| 代理公司: | 上?;坳现R產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 31343 | 代理人: | 徐海晟 |
| 地址: | 518055 廣東省深圳市南山區(qū)西麗街*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | gan 功率管 驅(qū)動 電路 方法 相應 電子 裝置 | ||
本發(fā)明提供了一種GaN功率管驅(qū)動電路、方法與電子裝置,該驅(qū)動電路包括交流驅(qū)動單元與直流驅(qū)動單元;交流驅(qū)動單元用于根據(jù)第一控制信號輸出驅(qū)動信號至GaN功率管的柵極,以驅(qū)動GaN功率管的開啟與關閉;其中,驅(qū)動信號包括低電平驅(qū)動信號與高電平驅(qū)動信號;驅(qū)動信號與第一控制信號是同步變化的;直流驅(qū)動單元用于根據(jù)第二控制信號控制高電平驅(qū)動信號的電壓處于第一電壓,以及控制低電平驅(qū)動信號的電壓處于第二電壓。本驅(qū)動電路利用交流驅(qū)動單元實現(xiàn)GaN功率管的啟閉,利用直流驅(qū)動單元控制GaN功率管開啟和關閉時的驅(qū)動電壓處于恒定的電壓值,從而滿足了GaN功率管低閾值電壓及窄范圍柵源工作電壓的特性需求,能充分發(fā)揮其電氣性能優(yōu)勢的同時提高可靠性。
技術領域
本發(fā)明涉及一種功率管驅(qū)動領域,尤其涉及一種GaN功率管驅(qū)動電路、驅(qū)動方法及相應的電子裝置。
背景技術
GaN功率管是一種高電子遷移率晶體管,其具有小輸入電容、小導通電阻、低閾值電壓、窄范圍柵源工作電壓的電氣特性。小輸入電容和小導通電阻使得其有利于提高開關電源的工作頻率以減少開關變換器的尺寸。
現(xiàn)有的相關技術中,采用常規(guī)的硅功率管驅(qū)動電路直接驅(qū)動GaN功率管。
但是,GaN功率管低閾值電壓及窄范圍柵源工作電壓的特性使其設計可靠性面臨較高的挑戰(zhàn),若使用常規(guī)的硅功率管驅(qū)動電路直接驅(qū)動GaN功率管,無法實現(xiàn)驅(qū)動電壓的精準控制,致使開關變換器的失效概率大大增加,不僅會降低GaN功率管的可靠性,并且不能使GaN功率管的特性優(yōu)勢得到充分發(fā)揮。
因而,如何精準有效地對GaN功率管進行驅(qū)動,已成為業(yè)界亟待解決的技術問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種GaN功率管驅(qū)動電路,以解決現(xiàn)有技術中無法實現(xiàn)驅(qū)動電路精準控制,造成GaN的可靠性降低且電氣特性優(yōu)勢難以充分發(fā)揮的問題。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面,提供了一種GaN功率管驅(qū)動電路,包括交流驅(qū)動單元與直流驅(qū)動單元;
所述交流驅(qū)動單元的輸入側用于接入第一控制信號,所述交流驅(qū)動單元的輸出側連接GaN功率管的柵極;
所述直流驅(qū)動單元的輸入側用于接入第二控制信號,所述直流驅(qū)動單元的輸出側連接所述GaN功率管的柵極;所述第二控制信號與所述第一控制信號為相同的控制信號,或者:所述第二控制信號是響應于所述第一控制信號的變化而變化的;
所述交流驅(qū)動單元用于:
根據(jù)所述第一控制信號輸出驅(qū)動信號至所述GaN功率管的柵極,以驅(qū)動所述GaN功率管的開啟與關閉;其中,所述驅(qū)動信號包括低電平驅(qū)動信號與高電平驅(qū)動信號;所述驅(qū)動信號與所述第一控制信號是同步變化的;
所述直流驅(qū)動單元用于:
響應于所述第二控制信號的變化控制所述高電平驅(qū)動信號的電壓處于第一電壓,以及控制所述低電平驅(qū)動信號的電壓處于第二電壓。
可選的,所述直流驅(qū)動單元包括第一電壓輸出模塊與切換開關;
所述第一電壓輸出模塊的輸出端直接或間接連接所述GaN功率管的柵極;
所述切換開關的第一端連接所述第一電壓輸出模塊的輸出端,所述切換開關的第二端直接或間接接地,所述切換開關的控制端接入所述第二控制信號,所述第二控制信號用于控制所述切換開關的啟閉,以使得:
在所述交流驅(qū)動單元開始輸出所述高電平驅(qū)動信號后,所述GaN功率管的柵極與所述第一電壓輸出模塊導通,使所述高電平驅(qū)動信號處于所述第一電壓;以及,在所述交流驅(qū)動單元開始輸出所述低電平驅(qū)動信號后,所述GaN功率管的柵極與地導通,使所述低電平驅(qū)動信號處于所述第二電壓。
可選的,所述第二控制信號為將所述第一控制信號反相后得到的信號。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于華源智信半導體(深圳)有限公司,未經(jīng)華源智信半導體(深圳)有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010586743.7/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H02M 用于交流和交流之間、交流和直流之間、或直流和直流之間的轉換以及用于與電源或類似的供電系統(tǒng)一起使用的設備;直流或交流輸入功率至浪涌輸出功率的轉換;以及它們的控制或調(diào)節(jié)
H02M1-00 變換裝置的零部件
H02M1-02 .專用于在靜態(tài)變換器內(nèi)的放電管產(chǎn)生柵極控制電壓或引燃極控制電壓的電路
H02M1-06 .非導電氣體放電管或等效的半導體器件的專用電路,例如閘流管、晶閘管的專用電路
H02M1-08 .為靜態(tài)變換器中的半導體器件產(chǎn)生控制電壓的專用電路
H02M1-10 .具有能任意地用不同種類的電流向負載供電的變換裝置的設備,例如用交流或直流
H02M1-12 .減少交流輸入或輸出諧波成分的裝置





