[發(fā)明專利]用于控制字線放電的設(shè)備和方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010586226.X
• 申請(qǐng)日: 2020-06-24
• 公開（公告）號(hào): CN112133346A
• 公開（公告）日: 2020-12-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 佐藤敏行
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號(hào): G11C11/408
• 分類號(hào): G11C11/408
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 王龍

描述了用于控制字線放電的設(shè)備和方法。可以控制放電速率和/或所放電到的電壓電平。在一些實(shí)施例中，可以將主字線驅(qū)動(dòng)到多個(gè)低電勢(shì)以控制子字線的放電。在一些實(shí)施例中，第一字驅(qū)動(dòng)器線信號(hào)和/或第二字驅(qū)動(dòng)器線信號(hào)可以被復(fù)位以控制子字線的放電。在一些實(shí)施例中，可以使用驅(qū)動(dòng)所述主字線和所述第一字驅(qū)動(dòng)器線信號(hào)和/或所述第二字驅(qū)動(dòng)器線信號(hào)復(fù)位的組合來控制所述子字線的放電。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，更特別涉及用于控制字線放電的設(shè)備和方法。

背景技術(shù)

以DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)為代表的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置包含具有在字線和位線之間的交叉處設(shè)置的存儲(chǔ)器單元的存儲(chǔ)器單元陣列。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置可以包含分層結(jié)構(gòu)的主字線和子字線。主字線是位于上層的字線，并且由行地址的第一部分選擇。子字線是位于下層的字線，并且基于相對(duì)應(yīng)的主字線(MWL)和字驅(qū)動(dòng)器線(FXL)來選擇，所述字驅(qū)動(dòng)器線由行地址的第二部分選擇。

可以將半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置(例如，DRAM)中包含的存儲(chǔ)器單元陣列劃分為多個(gè)存儲(chǔ)器墊(mat)，以減小子字線和位線的布線電容。每個(gè)存儲(chǔ)器墊包含相應(yīng)的主字線，使得當(dāng)使用行地址的第一部分選擇主字線時(shí)，還同時(shí)確定待選擇的存儲(chǔ)器墊。

子字線的驅(qū)動(dòng)過程由子字驅(qū)動(dòng)器執(zhí)行，并且當(dāng)子字線被驅(qū)動(dòng)到高電勢(shì)時(shí)，存儲(chǔ)器單元耦合到相對(duì)應(yīng)的位線。另一方面，在子字線被驅(qū)動(dòng)到低電勢(shì)期間，存儲(chǔ)器單元和位線保持為截止?fàn)顟B(tài)。在將子字線驅(qū)動(dòng)到高電勢(shì)時(shí)，相對(duì)高的電壓被提供給存儲(chǔ)器墊的子字驅(qū)動(dòng)器。相反，在將子字線驅(qū)動(dòng)到低電勢(shì)時(shí)，相對(duì)低的電壓被提供給存儲(chǔ)器墊的子字驅(qū)動(dòng)器。

重復(fù)訪問特定子字線(通常被稱為“行錘”)可能會(huì)導(dǎo)致附近子字線中的數(shù)據(jù)退化速率的增加。期望減少行錘事件的影響。

發(fā)明內(nèi)容

一方面，本申請(qǐng)涉及一種設(shè)備，其包括：子字驅(qū)動(dòng)器，其被配置成驅(qū)動(dòng)子字線，其中所述子字驅(qū)動(dòng)器包含在第一節(jié)點(diǎn)處耦合到所述子字線的晶體管；字驅(qū)動(dòng)器控制電路，其被配置成提供第一控制信號(hào)和第二控制信號(hào)；和字驅(qū)動(dòng)器，其被配置成接收所述第一和第二控制信號(hào)并將第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)提供給所述子字驅(qū)動(dòng)器的所述晶體管的第二節(jié)點(diǎn)，所述字驅(qū)動(dòng)器被配置成基于所述第一控制信號(hào)來提供處于作用狀態(tài)的所述第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)并基于所述第二控制信號(hào)來提供具有電勢(shì)的處于非作用狀態(tài)的所述第一驅(qū)動(dòng)信號(hào)。

另一方面，本申請(qǐng)涉及一種方法，其包括：響應(yīng)于激活命令而將子字線驅(qū)動(dòng)到字驅(qū)動(dòng)器線的作用電勢(shì)；響應(yīng)于預(yù)充電命令和作用復(fù)位信號(hào)而將所述子字線放電到所述字驅(qū)動(dòng)器線的第一非作用電勢(shì)；和響應(yīng)于非作用復(fù)位信號(hào)而將所述字驅(qū)動(dòng)器線的所述第一非作用電勢(shì)改變到第二非作用電勢(shì)，其中所述第二非作用電勢(shì)大于所述第一非作用電勢(shì)。

另一方面，本申請(qǐng)涉及一種方法，其包括：響應(yīng)于激活命令而將字驅(qū)動(dòng)器線驅(qū)動(dòng)到作用電勢(shì)；將所述字驅(qū)動(dòng)器線的所述作用電勢(shì)提供給子字線；響應(yīng)于預(yù)充電命令和作用復(fù)位信號(hào)而將所述字驅(qū)動(dòng)器線驅(qū)動(dòng)到第一非作用電勢(shì)；向所述子字線提供所述第一非作用電勢(shì)；響應(yīng)于非作用復(fù)位信號(hào)而將所述字驅(qū)動(dòng)器線驅(qū)動(dòng)到第二非作用電勢(shì)，所述第二非作用電勢(shì)大于所述第一非作用電勢(shì)；和向所述子字線提供所述第二非作用電勢(shì)。

附圖說明

圖1是根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的框圖。

圖2是根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的布局的圖。

圖3是根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置的存儲(chǔ)器單元陣列的存儲(chǔ)體的配置的圖。

圖4是根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例的存儲(chǔ)器單元陣列的存儲(chǔ)體的一部分的示意圖。

圖5是根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例的主字驅(qū)動(dòng)器的電路圖。

圖6是根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例的在驅(qū)動(dòng)器電路的操作期間的各種信號(hào)的時(shí)序圖。

圖7是根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施例的字驅(qū)動(dòng)器的電路圖。