[發明專利]一種改性PEDOT:PSS薄膜及其制備方法與應用在審
| 申請號： | 202010586127.1 | 申請日： | 2020-06-24 |
| 公開（公告）號： | CN111682123A | 公開（公告）日： | 2020-09-18 |
| 發明（設計）人： | 劉利會;李樹嶺;吳磊;陳淑芬;黃維 | 申請（專利權）人： | 南京郵電大學 |
| 主分類號： | H01L51/52 | 分類號： | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/00;C08J7/04;C08L67/02;C08L65/00;C08L25/18;C08L79/02 |
| 代理公司： | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210012 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 改性 pedot pss 薄膜 及其 制備 方法 應用 | ||
1.一種改性PEDOT:PSS薄膜，其特征在于，包括基底、位于基底上的改性PEDOT:PSS薄膜和附著在改性PEDOT:PSS薄膜表面的可交聯聚合物修飾層。
2.根據權利要求1所述的改性PEDOT:PSS薄膜，其特征在于，所述可交聯聚合物為乙氧基化聚乙烯亞胺PEIE。
3.根據權利要求1所述的改性PEDOT:PSS薄膜，其特征在于，所述基底為玻璃基片或石英基底。
4.根據權利要求1所述的改性PEDOT:PSS薄膜，其特征在于，所述基底為聚萘二甲酸乙二醇酯或聚對苯二甲酸乙二醇酯。
5.一種權利要求1所述的改性PEDOT:PSS薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)預處理基底，配制改性DOT:PSS溶液；
(2)在基底上制備改性PEDOT:PSS薄膜；
(3)配制可交聯聚合物溶液；
(4)將可交聯聚合物溶液制備到改性PEDOT:PSS薄膜表面形成可交聯聚合物修飾層，得到附著有可交聯聚合物修飾層的改性PEDOT:PSS薄膜。
6.根據權利要求5所述的改性PEDOT:PSS薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟1中PEDOT:PSS溶液含有3～8vol％的二甲亞砜和0.03～0.08vol％的聚乙二醇辛基苯基醚。
7.根據權利要求5所述的改性PEDOT:PSS薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟2中制備PEDOT:PSS薄膜和步驟4中可交聯聚合物修飾層時使用溶液法。
8.根據權利要求5所述的改性PEDOT:PSS薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟2中PEDOT:PSS薄膜厚度為80～150nm。
9.根據權利要求5所述的改性PEDOT:PSS薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟3中的可交聯聚合物溶液為溶液濃度為0.05～0.15wt％的乙氧基化聚乙烯亞胺溶液。
10.一種權利要求1所述的改性PEDOT:PSS薄膜在柔性光電器件中作為透明導電電極的應用。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
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H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
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H01L51-54 .. 材料選擇
