[發明專利]紅外探測器讀出電路銦凸點制備方法及制得的讀出電路

有效

• 申請號: 202010585611.2
• 申請日: 2020-06-24
• 公開（公告）號: CN111755572B
• 公開（公告）日: 2022-06-28
• 發明（設計）人: 謝珩;劉明;張敏;寧提;張鵬;譚振
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十一研究所
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/02;H01L31/09;H01L31/101
• 代理公司: 工業和信息化部電子專利中心 11010
• 代理人: 于金平

1.一種紅外探測器讀出電路銦凸點制備方法，其特征在于，包括：

步驟一、對讀出電路上涂覆光刻膠；其中，所述讀出電路的芯片涂覆的光刻膠為負膠，且所述讀出電路的芯片的光刻孔深寬比大于2：1，同時在讀出電路上光刻出孔，即設置銦柱用的孔；

步驟二、按照預設需求在所述讀出電路的預設位置制備銦凸點，并去除光刻膠上的銦層；

步驟三、進行二次鍍銦，并去除光刻膠上的銦層；

重復執行步驟二和步驟三，直到得到預設高度的銦凸點；

其中，所述銦凸點之間的間距小于10微米；

得到預設高度的銦凸點之后，該方法還包括：

通過剝離工藝去除光刻膠。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，

所述讀出電路的芯片涂覆的光刻膠為負膠。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，制備銦凸點，包括：

通過熱蒸發鍍膜制備所述銦凸點。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，

銦凸點的生長速率為10-30埃/秒，膜厚為3±0.2微米。

5.根據權利要求1-4中任意一項所述的方法，其特征在于，去除光刻膠上的銦層，包括：

通過離子束刻蝕去除光刻膠上的銦層。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，

通過離子束刻蝕去除光刻膠上的銦層的刻蝕束壓為250-300V，束流為50-60mA，刻蝕角度為40-60度，刻蝕時間為80-100分鐘。

7.根據權利要求1-4中任意一項所述的方法，其特征在于，

所述銦凸點的高度為4-8微米。

8.一種紅外探測器讀出電路，其特征在于，所述紅外探測器讀出電路為通過權利要求1-7中任意一項所述的紅外探測器讀出電路銦凸點制備方法制備得到。