[發(fā)明專利]半球形多層介質(zhì)透鏡、天線模組、高頻無(wú)線模組和設(shè)備在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010584855.9 | 申請(qǐng)日： | 2020-06-23 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN111600135A | 公開（公告）日： | 2020-08-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張麗麗;羅振東 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 深圳市前海派速科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01Q15/08 | 分類號(hào)： | H01Q15/08;H01Q19/06;H01Q21/00;H01Q23/00 |
| 代理公司： | 深圳尚業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44503 | 代理人： | 王利彬 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半球形 多層 介質(zhì) 透鏡 天線 模組 高頻 無(wú)線 設(shè)備 | ||
1.一種半球形多層介質(zhì)透鏡，其特征在于，所述半球形多層介質(zhì)透鏡為中空半球體，且包括多層電介質(zhì)，所述半球形多層介質(zhì)透鏡由內(nèi)向外依次為低介電常數(shù)電介質(zhì)層、中介電常數(shù)電介質(zhì)層和高介電常數(shù)電介質(zhì)層。
2.如權(quán)利要求1所述的半球形多層介質(zhì)透鏡，其特征在于，所述低介電常數(shù)電介質(zhì)層的厚度小于所述中介電常數(shù)電介質(zhì)層的厚度，所述中介電常數(shù)電介質(zhì)層的厚度小于所述高介電常數(shù)電介質(zhì)層的厚度。
3.一種天線模組，包括天線模組本體，所述天線模組本體包括天線陣列、封裝模組、模組互連結(jié)構(gòu)，所述天線陣列安裝在所述封裝模組的上表面，所述模組互連結(jié)構(gòu)封裝在所述封裝模組內(nèi)，并與所述天線陣列連接，其特征在于，所述天線模組還包括如權(quán)利要求1或2所述的半球形多層介質(zhì)透鏡，所述半球形多層介質(zhì)透鏡蓋設(shè)在所述上表面上，且所述天線陣列設(shè)置在所述半球形多層介質(zhì)透鏡的中空區(qū)域內(nèi)。
4.一種高頻無(wú)線模組，其特征在于，包括如權(quán)利要求3所述的天線模組，還包括有源高頻芯片，所述有源高頻芯片安裝在所述封裝模組的下表面，并與所述模組互連結(jié)構(gòu)連接，以與所述天線陣列通信。
5.如權(quán)利要求4所述的高頻無(wú)線模組，其特征在于，所述有源高頻芯片為毫米波芯片或太赫茲芯片。
6.一種高頻通信設(shè)備，其特征在于，包括如權(quán)利要求4或5所述的高頻無(wú)線模組。
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