[發(fā)明專(zhuān)利]一種提升SiGe溝道表面均勻度的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010584734.4 | 申請(qǐng)日： | 2020-06-24 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN111653612A | 公開(kāi)（公告）日： | 2020-09-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 姜蘭;成鑫華;歸琰 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 上海華力集成電路制造有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L29/10 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L29/10;H01L21/336;H01L21/02;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴廣志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 提升 sige 溝道 表面 均勻 方法 | ||
1.一種提升SiGe溝道表面均勻度的方法，其特征在于，至少包括以下步驟：
步驟一、提供襯底，所述襯底上設(shè)有埋氧層，所述埋氧層上設(shè)有硅鍺層；
步驟二、對(duì)所述硅鍺層的表面進(jìn)行等離子體氧化，形成SiGeOx層；
步驟三、采用濕法刻蝕去除所述SiGeOx層；
步驟四、重復(fù)步驟二至步驟三，直到所述硅鍺層表面的均勻度達(dá)到小于或等于5％為止。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提升SiGe溝道表面均勻度的方法，其特征在于：步驟二中對(duì)所述硅鍺層進(jìn)行等離子體氧化的氧氣流量為180-300ml/min。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提升SiGe溝道表面均勻度的方法，其特征在于：步驟二中對(duì)所述硅鍺層進(jìn)行等離子體氧化的氧氣流量為200ml/min。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提升SiGe溝道表面均勻度的方法，其特征在于：步驟二中對(duì)所述硅鍺層進(jìn)行等離子體氧化的溫度為20-30℃。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提升SiGe溝道表面均勻度的方法，其特征在于：步驟二中對(duì)所述硅鍺層進(jìn)行等離子體氧化的溫度為200-400℃。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提升SiGe溝道表面均勻度的方法，其特征在于：步驟二中對(duì)所述硅鍺層進(jìn)行等離子體氧化的壓力為10-30托。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提升SiGe溝道表面均勻度的方法，其特征在于：步驟二中對(duì)所述硅鍺層進(jìn)行等離子體氧化的壓力為10托。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提升SiGe溝道表面均勻度的方法，其特征在于：步驟二中對(duì)所述硅鍺層進(jìn)行等離子氧化的作業(yè)模式為持續(xù)模式。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的提升SiGe溝道表面均勻度的方法，其特征在于：步驟二中對(duì)所述硅鍺層進(jìn)行等離子氧化采用的持續(xù)模式的射頻功率為150-1700W。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的提升SiGe溝道表面均勻度的方法，其特征在于：步驟二中對(duì)所述硅鍺層進(jìn)行等離子氧化采用的持續(xù)模式的射頻功率為150W。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提升SiGe溝道表面均勻度的方法，其特征在于：步驟二中對(duì)所述硅鍺層進(jìn)行等離子氧化作業(yè)時(shí)間為30s～5min。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提升SiGe溝道表面均勻度的方法，其特征在于：步驟二中對(duì)所述硅鍺層進(jìn)行等離子氧化作業(yè)時(shí)間為10s。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提升SiGe溝道表面均勻度的方法，其特征在于：步驟二中對(duì)所述硅鍺層進(jìn)行等離子氧化的氣體包括氧氣和氦氣，氧氣和氦氣的流量比為90％～10％。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提升SiGe溝道表面均勻度的方法，其特征在于：步驟二至步驟三為一個(gè)作業(yè)周期，該一個(gè)作業(yè)周期因等離子體氧化而消耗的硅鍺層的厚度為10～20埃。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提升SiGe溝道表面均勻度的方法，其特征在于：步驟四中，重復(fù)步驟二至步驟三，直到所述硅鍺層表面的均勻度達(dá)到小于或等于5％時(shí)，所述硅鍺層的厚度大于80埃。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于上海華力集成電路制造有限公司，未經(jīng)上海華力集成電路制造有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010584734.4/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專(zhuān)門(mén)適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類(lèi)型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
