[發(fā)明專利]一種提高SiC功率芯片鍵合線功率循環(huán)能力的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010584587.0 | 申請日： | 2020-06-24 |
| 公開（公告）號： | CN112002645B | 公開（公告）日： | 2022-12-09 |
| 發(fā)明（設計）人： | 諶娟;郭慶吉 | 申請（專利權(quán)）人： | 西安理工大學 |
| 主分類號： | H01L21/48 | 分類號： | H01L21/48;H01L21/04 |
| 代理公司： | 西安弘理專利事務所 61214 | 代理人： | 韓玙 |
| 地址： | 710048 陜*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 提高 sic 功率 芯片 鍵合線 循環(huán) 能力 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種提高SiC功率芯片鍵合線功率循環(huán)能力的方法，其特征在于，通過在SiC功率芯片(1)表面形成具有若干金屬圖形的金屬層(2)，使得鍵合后鍵合點與芯片表面鋁金屬化形成三維連接結(jié)構(gòu)，提升芯片功率循環(huán)能力；
鍵合使用的鍵合線位于金屬層中間；
所述金屬圖形為條狀。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高SiC功率芯片鍵合線功率循環(huán)能力的方法，其特征在于，所述金屬層(2)厚度小于或等于鍵合線直徑。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高SiC功率芯片鍵合線功率循環(huán)能力的方法，其特征在于，所述金屬圖形之間的間距大于鍵合線直徑。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
