[發(fā)明專利]一種玻璃生產(chǎn)真空鍍膜工藝

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202010584456.2
• 申請日: 2020-06-23
• 公開（公告）號: CN111559874A
• 公開（公告）日: 2020-08-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 龐景華
• 申請（專利權(quán)）人: 佛山市德俊太陽能玻璃有限公司
• 主分類號: C03C17/34
• 分類號: C03C17/34;C03C23/00
• 代理公司: 佛山中貴知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44491
• 代理人: 朱林輝

1.一種玻璃生產(chǎn)真空鍍膜工藝，該鍍膜工藝包括以下步驟：

S1、先進(jìn)行選料，選擇合適的玻璃，使用切割機(jī)械對于需要鍍膜的玻璃進(jìn)行側(cè)邊切邊處理至一定尺寸，保持鍍膜玻璃側(cè)面的平整度；

S2、對于選取并切割后的玻璃進(jìn)行表面處理，將玻璃置入清洗機(jī)內(nèi)，向清洗機(jī)內(nèi)加入除油劑，進(jìn)行一定時間的清洗處理，對于玻璃的表面進(jìn)行除塵、除油處理；

S3、將表面處理過的玻璃取出，進(jìn)行玻璃表面的鍍油膜處理，將玻璃完全浸入具有鍍油膜的油箱內(nèi)，將玻璃上下浸沒至油箱內(nèi)循環(huán)多次；

S4、取出進(jìn)行鍍油膜處理后的玻璃，置于烘干機(jī)內(nèi)，提升烘干機(jī)內(nèi)的溫度，對鍍油膜進(jìn)行一定時間的烘干處理，保證油漆膜是完全干燥的狀態(tài)；

S5、將進(jìn)行烘干后的第一層的鍍油膜后的玻璃材料取出，置于真空式鍍膜機(jī)內(nèi)，并且將該玻璃材料固定好，進(jìn)行抽真空處理，保持裝置內(nèi)的壓強(qiáng)；

S6、通過光學(xué)電子槍向鍍油膜后的玻璃材料上噴射第一鍍膜原料；

S7、打開電熱管，提高裝置內(nèi)的溫度至一定程度并保持一段時間，使噴射在鍍油膜后的玻璃材料上的第一鍍膜原料更加有效附著在鍍油膜后的玻璃材料的表面上；

S8、向進(jìn)行第一次鍍膜后的玻璃上加入適量熱熔膠，且保持裝置內(nèi)的溫度，使熱熔膠快速融化附著在玻璃外表面；

S9、繼續(xù)抽真空使裝置內(nèi)的真空度達(dá)到一定程度，并保持裝置內(nèi)的壓強(qiáng)；

S10、通過光學(xué)電子槍向鍍油膜后的玻璃材料上噴射第二鍍膜面膜；

S11、重復(fù)S7步驟，提高裝置內(nèi)的溫度至一定程度并保持一段時間，使第二鍍膜面膜與玻璃材料上的熱熔膠進(jìn)行完全的沾合，完成對于第二鍍膜面膜的鍍膜處理；

S12、鍍膜完成后，待鍍膜后的玻璃自然冷卻，接觸裝置內(nèi)的真空狀態(tài)，打開裝置取出鍍膜玻璃，且該玻璃進(jìn)行外部包裝。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種玻璃生產(chǎn)真空鍍膜工藝，其特征在于：所述S1中，切割后的鍍膜玻璃的尺寸為600mmX800mm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種玻璃生產(chǎn)真空鍍膜工藝，其特征在于：所述S2中，清洗時間為15-20min，加入的除油劑為烷基酚聚氧乙烯醚溶液。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種玻璃生產(chǎn)真空鍍膜工藝，其特征在于：所述S3中，鍍油膜處理采用的為自干型SZ-97T鍍油，玻璃上下浸沒至油箱內(nèi)循環(huán)次數(shù)為4-7次。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種玻璃生產(chǎn)真空鍍膜工藝，其特征在于：所述S4中，烘干溫度為75-85℃，烘干時間為2h。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種玻璃生產(chǎn)真空鍍膜工藝，其特征在于：所述S5中，真空式鍍膜機(jī)內(nèi)的壓強(qiáng)保持為4×10^-2-5×10^-2Pa。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種玻璃生產(chǎn)真空鍍膜工藝，其特征在于：所述S6中，通過光學(xué)電子槍向鍍油膜后的玻璃材料上噴射第一鍍膜原料為二氧化鈦與二氧化鋯的混合物,所述S10中，第二鍍膜面膜為二氧化硅。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種玻璃生產(chǎn)真空鍍膜工藝，其特征在于：所述S8中，提高裝置內(nèi)的溫度至250-350℃，保持時間為30-40min。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種玻璃生產(chǎn)真空鍍膜工藝，其特征在于：所述S9中，空式鍍膜機(jī)內(nèi)的壓強(qiáng)保持為2×10^-2-3×10^-2Pa。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種玻璃生產(chǎn)真空鍍膜工藝，其特征在于：所述S11中，提高裝置內(nèi)的溫度至350-450℃，保持時間為60-80min。