[發明專利]一種制備高質量硅基氮化鋁模板的方法

有效

• 申請號: 202010583920.6
• 申請日: 2020-06-23
• 公開（公告）號: CN111809154B
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發明（設計）人: 吳亮;付丹揚;王琦琨;朱如忠;龔建超;劉歡
• 申請（專利權）人: 奧趨光電技術（杭州）有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/06;C23C14/16;C23C14/02;C23C14/58
• 代理公司: 杭州宇信知識產權代理事務所(普通合伙) 33231
• 代理人: 王健

1.一種制備高質量硅基氮化鋁模板的方法，包括如下步驟：

1)準備硅單晶襯底；

2)基于所述硅單晶襯底生長初始緩沖層，所述初始緩沖層為金屬薄膜材料；

3)通過離子轟擊降低所述初始緩沖層的表面粗糙度；離子轟擊的條件如下：氬氣流量為10-500sccm，功率為5-50W，偏壓為10-800V，轟擊時長為0.1-5min；

4)對離子轟擊后的緩沖層進行熱處理；熱處理的條件如下：襯底溫度為100-1200℃，處理時長為0.1-10h，反應室內為真空環境或通入氣體至壓力小于10atm，所述氣體為N₂、Ar、H₂或幾種氣體的混合氣體；

5)基于熱處理后的緩沖層生長氮化鋁薄膜。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟2)中所述初始緩沖層的制備技術包括磁控濺射法、金屬有機化合物氣相外延法、分子束外延法、氫化物氣相外延法、原子層沉積法或脈沖激光沉積法中的一種或幾種的疊加。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟5)中，采用反應式磁控濺射技術在優化后的緩沖層上生長氮化鋁薄膜，制備條件如下：反應室壓力為0.1-5Pa，氮氣流量為5-500sccm，氬氣流量為5-500sccm，濺射功率為0.1-15kW，溫度小于1000℃。