[發明專利]具有金屬氧化物帽蓋的接觸部以抑制短接的有源柵極上方接觸部

在審

• 申請號: 202010582897.9
• 申請日: 2020-06-23
• 公開（公告）號: CN112542455A
• 公開（公告）日: 2021-03-23
• 發明（設計）人: R·胡拉尼;R·弗里蘭;G·埃爾巴茲;M·昌德霍克;R·E·申克爾;G·辛格;F·格瑟特萊恩;N·卡比爾;T·A·特羅尼克;E·韓
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L23/522
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 劉炳勝

1.一種集成電路結構，包括：

襯底上方的多個柵極結構，所述柵極結構中的每個在其上包括柵極絕緣層；

與所述多個柵極結構交替的多個導電溝槽接觸結構，所述導電溝槽接觸結構中的每個在其上包括金屬氧化物帽蓋結構；

層間電介質材料，所述層間電介質材料在所述多個柵極結構上方并且在所述多個導電溝槽接觸結構上方；

開口，所述開口在所述層間電介質材料中并且在所述多個柵極結構中的對應的一個的柵極絕緣層中；以及

所述開口中的導電過孔，所述導電過孔與所述多個柵極結構中的所述對應的一個直接接觸，并且所述導電過孔在所述金屬氧化物帽蓋結構中的一個或多個的一部分上。

2.根據權利要求1所述的集成電路結構，其中，所述多個導電溝槽接觸結構中的每個包括襯層材料和填充材料。

3.根據權利要求2所述的集成電路結構，其中，所述填充材料凹陷在所述襯層材料下方，并且其中，所述對應的金屬氧化物帽蓋結構在所述填充材料上，并且所述對應的金屬氧化物帽蓋結構在所述襯層材料上方但不直接在所述襯層材料上。

4.根據權利要求2所述的集成電路結構，其中，所述襯層材料凹陷在所述填充材料下方，并且其中，所述對應的金屬氧化物帽蓋結構在所述填充材料上和所述襯層材料上。

5.根據權利要求1、2、3或4所述的集成電路結構，還包括：

與所述多個柵極結構和所述多個導電溝槽接觸結構交替的多個電介質間隔體。

6.根據權利要求5所述的集成電路結構，其中，所述金屬氧化物帽蓋結構中的每個懸垂于所述多個電介質間隔體中的對應的一個的一部分上。

7.根據權利要求1、2、3或4所述的集成電路結構，其中，所述金屬氧化物帽蓋結構包括選自由AlOx、HfOx、ZrOx和TiOx組成的組的金屬氧化物層。

8.根據權利要求1、2、3或4所述的集成電路結構，其中，所述多個導電溝槽接觸結構和所述多個柵極結構在半導體鰭狀物上。

9.一種集成電路結構，包括：

襯底上方的多個柵極結構，所述柵極結構中的每個在其上包括柵極絕緣層；

與所述多個柵極結構交替的多個導電溝槽接觸結構，所述導電溝槽接觸結構中的每個在其上包括金屬氧化物帽蓋結構，其中，所述多個導電溝槽接觸結構中的每個包括襯層材料和填充材料；

與所述多個柵極結構和所述多個導電溝槽接觸結構交替的多個電介質間隔體，其中，所述導電溝槽接觸結構中的每個的所述襯層材料和所述填充材料凹陷在所述多個電介質間隔體下方，并且其中，所述對應的金屬氧化物帽蓋結構在所述填充材料上和所述襯層材料上；

層間電介質材料，所述層間電介質材料在所述多個柵極結構上方并且在所述多個導電溝槽接觸結構上方；

開口，所述開口在所述層間電介質材料中并且在所述多個柵極結構中的對應的一個的柵極絕緣層中；以及

所述開口中的導電過孔，所述導電過孔與所述多個柵極結構中的所述對應的一個直接接觸，并且所述導電過孔在所述金屬氧化物帽蓋結構中的一個或多個的一部分上。

10.根據權利要求9所述的集成電路結構，其中，所述金屬氧化物帽蓋結構包括選自由AlOx、HfOx、ZrOx和TiOx組成的組的金屬氧化物層。

11.根據權利要求9或10所述的集成電路結構，其中，所述多個導電溝槽接觸結構和所述多個柵極結構在半導體鰭狀物上。