[發明專利]顯示基板、顯示面板、電子設備和顯示方法在審
| 申請號: | 202010582835.8 | 申請日: | 2020-06-23 |
| 公開(公告)號: | CN113838889A | 公開(公告)日: | 2021-12-24 |
| 發明(設計)人: | 樊燕;陳義鵬;王楊;李彥松;樊星 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;胡影 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 電子設備 方法 | ||
1.一種顯示基板,其特征在于,包括:
驅動背板,具有第一顯示區和第二顯示區;
陽極圖案,設于所述驅動背板一側,包括位于所述第一顯示區的多個第一電極和位于所述第二顯示區的多個第二電極,所述多個第一電極呈沿第一方向延伸的條狀且沿第二方向間隔分布;
發光層,設于所述陽極圖案遠離所述驅動背板的一側,包括位于所述第一顯示區的第一發光部和位于所述第二顯示區的第二發光部;
陰極圖案,設于所述發光層遠離所述驅動背板的一側,包括位于所述第一顯示區的多個第三電極和位于所述第二顯示區的第四電極,所述多個第三電極呈沿所述第二方向延伸的條狀且沿所述第一方向間隔分布;
其中,所述多個第一電極和所述多個第三電極交叉設置,形成多個交叉點,所述多個交叉點中部分交叉點形成發光單元,部分交叉點形成虛擬發光單元。
2.如權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,形成所述發光單元的交叉點處所述第一電極在所述第二方向上的寬度大于形成所述虛擬發光單元的交叉點處的所述第一電極在所述第二方向上的寬度,或者,形成所述發光單元的交叉點處所述第三電極在所述第一方向上的寬度大于形成所述虛擬發光單元的交叉點處的所述第三電極在所述第一方向上的寬度。
3.如權利要求2所述的顯示基板,其特征在于,相鄰的兩行兩列四個交叉點中兩個交叉點形成發光單元,兩個交叉點形成虛擬發光單元,且形成所述發光單元的兩個交叉點在所述四個交叉點組成的矩形的對角線上。
4.如權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述第一電極和所述第三電極為透明電極,所述第二電極為反射電極,所述第四電極為半透明電極。
5.如權利要求4所述的顯示基板,其特征在于,所述第一電極和第三電極包括透明金屬氧化物層,所述第二電極包括第一透明金屬氧化物層、金屬層和第二透明金屬氧化層,所述第四電極包括透明金屬層。
6.如權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述第一電極為反射電極,所述第三電極為透明電極,所述第二電極為反射電極,所述第四電極為半透明電極。
7.如權利要求6所述的顯示基板,其特征在于,所述第一電極和第二電極均包括第一透明金屬氧化物層、金屬層和第二透明金屬氧化層,所述第三電極包括透明金屬氧化物層,所述第四電極包括透明金屬層。
8.如權利要求7所述的顯示基板,其特征在于,所述第一顯示區包括像素區域和位于所述像素區域周邊的非像素區域,所述第一電極僅設置于所述像素區域內。
9.如權利要求4或6所述的顯示基板,其特征在于,所述第二顯示區還包括:設于所述第二電極遠離所述驅動背板一側的耦合出光層,所述耦合出光層包括:與所述第三電極同層同材料設置的第一部分。
10.如權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述第一電極和所述第二電極均為反射電極,所述第三電極和所述第四電極均為半透明電極。
11.如權利要求10所述的顯示基板,其特征在于,所述第一電極和第二電極均包括第一透明金屬氧化物層、金屬層和第二透明金屬氧化層,所述第三電極和所述第四電極包括透明金屬層。
12.如權利要求10所述的顯示基板,其特征在于,所述第一顯示區包括像素區域和位于所述像素區域周邊的非像素區域,所述非像素區域內設置有有機發光層和透明材料圖形,所述透明材料圖形設置于所述有機發光層遠離所述驅動背板的一側,所述透明材料圖形能夠抑制用于形成所述半透明電極的材料的沉積。
13.如權利要求12所述的顯示基板,其特征在于,所述透明材料圖形的厚度為5-10nm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





