[發(fā)明專利]一種多晶自摻雜平滑頂柵JFET器件及其制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010582154.1 | 申請(qǐng)日： | 2020-06-23 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN111933694A | 公開（公告）日： | 2020-11-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉建;稅國華;林濤;歐紅旗;馮志成;闞玲;劉青;朱坤峰;黃磊;王飛;張劍喬;張培健 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 重慶中科渝芯電子有限公司;中國電子科技集團(tuán)公司第二十四研究所 |
| 主分類號(hào)： | H01L29/10 | 分類號(hào)： | H01L29/10;H01L29/423;H01L29/808;H01L21/28;H01L21/337 |
| 代理公司： | 重慶縉云專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 50237 | 代理人： | 王翔 |
| 地址： | 401332 *** | 國省代碼： | 重慶;50 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 多晶 摻雜 平滑 jfet 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種多晶自摻雜平滑頂柵JFET器件，其特征在于，包括第一導(dǎo)電類型襯底(100)、所述第一導(dǎo)電類型埋層(101)、第二導(dǎo)電類型外延層(102)、第一導(dǎo)電類型隔離穿透區(qū)(103)、場(chǎng)氧層(104)、預(yù)氧層(105)、第一導(dǎo)電類型溝道區(qū)(106)、第一導(dǎo)電類型重?fù)诫s源漏區(qū)(107)、多晶柵區(qū)(108)、第二導(dǎo)電類型柵擴(kuò)散區(qū)(109)、TEOS金屬前介質(zhì)層(110)、源漏極第一層金屬(111)和柵極第一層金屬(112)。
所述第一導(dǎo)電類型襯底(100)上表面的兩端淀積有第一導(dǎo)電類型埋層(101)；
所述第二導(dǎo)電類型外延層(102)覆蓋在第一導(dǎo)電類型襯底(100)之上；
所述第二導(dǎo)電類型外延層(102)的兩端與第一導(dǎo)電類型埋層(101)相接觸；
所述第一導(dǎo)電類型隔離穿透區(qū)(103)的下表面與第一導(dǎo)電類型埋層(101)上表面相連；
所述第一導(dǎo)電類型隔離穿透區(qū)(103)與第二導(dǎo)電類型外延層(102)的兩端相接觸；
所述場(chǎng)氧層(104)覆蓋在第一導(dǎo)電類型隔離穿透區(qū)(103)的上表面；
所述場(chǎng)氧層(104)和第二導(dǎo)電類型外延層(102)上表面接觸；
所述場(chǎng)氧層(104)和第一導(dǎo)電類型溝道區(qū)(106)接觸；
所述預(yù)氧層(105)覆蓋在第二導(dǎo)電類型外延層(102)上表面；
所述預(yù)氧層(105)的兩端分別與位于不同位置的場(chǎng)氧層(104)相接觸；
所述第一導(dǎo)電類型溝道區(qū)(106)填充在第二導(dǎo)電類型外延層(102)內(nèi)；
所述第一導(dǎo)電類型重?fù)诫s源漏區(qū)(107)填充在第一導(dǎo)電類型溝道區(qū)(106)內(nèi)，位于第一導(dǎo)電類型溝道區(qū)(106)兩端；
所述第一導(dǎo)電類型重?fù)诫s源漏區(qū)(107)內(nèi)開設(shè)有接觸孔I；
所述接觸孔I分別與預(yù)氧層(105)和TEOS金屬前介質(zhì)層(110)相接觸；
所述多晶柵區(qū)(108)部分覆蓋在第一導(dǎo)電類型溝道區(qū)(106)上表面；
所述多晶柵區(qū)(108)與柵極第一層金屬(112)的下表面接觸；
所述多晶柵區(qū)(108)內(nèi)開設(shè)有接觸孔II；
所述接觸孔II與TEOS金屬前介質(zhì)層(110)相接觸；
所述第二導(dǎo)電類型柵擴(kuò)散區(qū)(109)位于第一導(dǎo)電類型溝道區(qū)(106)內(nèi)部；
所述第二導(dǎo)電類型柵擴(kuò)散區(qū)(109)的上表面與所述多晶柵區(qū)(108)的下表面相接觸；
所述TEOS金屬前介質(zhì)層(110)覆蓋在多晶自摻雜平滑頂柵JFET器件未開設(shè)接觸孔I、接觸孔II的表面；
所述源漏極第一層金屬(111)填充在接觸孔I內(nèi)部；
所述源漏極第一層金屬(111)覆蓋在第一導(dǎo)電類型重?fù)诫s源漏區(qū)(107)之上；
所述源漏極第一層金屬(111)分別與預(yù)氧層(105)、第一導(dǎo)電類型重?fù)诫s源漏區(qū)(107)和TEOS金屬前介質(zhì)層(110)相接觸；
所述柵極第一層金屬(112)填充在接觸孔II內(nèi)；
所述柵極第一層金屬(112)分別與多晶柵區(qū)(108)和TEOS金屬前介質(zhì)層(110)相接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種多晶自摻雜平滑頂柵JFET器件，其特征在于：所述第一導(dǎo)電類型重?fù)诫s源漏區(qū)(107)呈條狀結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶自摻雜平滑頂柵JFET器件，其特征在于：所述第一導(dǎo)電類型為P型，第二導(dǎo)電類型為N型。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶自摻雜平滑頂柵JFET器件，其特征在于：所述第一導(dǎo)電類型為N型，第二導(dǎo)電類型為P型。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
