[發明專利]用于半導體工藝設備中的靶材和半導體工藝設備

在審

• 申請號: 202010582063.8
• 申請日: 2020-06-23
• 公開（公告）號: CN111593311A
• 公開（公告）日: 2020-08-28
• 發明（設計）人: 紀紅;蘭云峰;張文強;趙雷超;秦海豐
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 張少輝

1.一種用于半導體工藝設備中的靶材，其特征在于，包括：背板和靶材本體，所述靶材本體設置在所述背板的底面上，所述背板的邊緣設有環形凸臺，所述環形凸臺用于固定所述靶材，所述靶材上開設有多個氣孔，多個所述氣孔貫穿所述背板和所述靶材本體。

2.根據權利要求1所述的靶材，其特征在于，沿所述靶材的徑向方向，所述氣孔的分布密度由內向外逐漸增大。

3.根據權利要求2所述的靶材，其特征在于，多個所述氣孔基于所述靶材的中心呈放射狀分布。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的靶材，其特征在于，在所述靶材本體的底面上，多個所述氣孔的面積總和與所述靶材本體底面的面積的比值為0.1％-3％。

5.一種半導體工藝設備，包括工藝腔室，其特征在于，所述工藝腔室頂部的蓋板上設置有根據權利要求1-4中任一項所述的靶材，所述蓋板中設置有氣流通道，所述靶材上的多個氣孔均與所述氣流通道連通。

6.根據權利要求5所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述蓋板的底面上設有可覆蓋所述多個氣孔的凹槽，所述蓋板和背板配合形成一氣室，所述氣流通道和所述多個氣孔均與所述氣室連通。

7.根據權利要求5或6所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述蓋板的底面上環繞所述凹槽還設有安裝槽，所述背板的環形凸臺固定設置在所述安裝槽中。

8.根據權利要求5或6所述的半導體工藝設備，其特征在于，在所述工藝腔室內設置有基座，所述基座上安裝保護卡環，所述卡環包括徑向向外延伸的環狀的遮擋部和從所述遮擋部的外邊緣沿軸向遠離所述蓋板而延伸越過所述基座的圍擋部，

在所述工藝腔室內還設置有保護內襯，所述保護內襯包括與所述工藝腔室的側壁的頂部相連的第一端部，從所述第一端部沿軸向遠離所述蓋板而延伸的延伸部，和與所述延伸部的端部相連的槽體，所述槽體背向所述側壁并且開口朝向所述蓋板，所述保護卡環的圍擋部間隙式嵌入所述槽體內。

9.根據權利要求5或6所述的半導體工藝設備，其特征在于，還包括多個進氣管道，所述多個進氣管道均與所述氣流通道連通。