[發(fā)明專利]自容式觸控基板及顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010582014.4
• 申請日: 2020-06-23
• 公開（公告）號: CN111665995B
• 公開（公告）日: 2022-01-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李遠航
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: G06F3/041
• 分類號: G06F3/041;G06F3/044;H01L27/32
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 李新干

1.一種自容式觸控基板，其特征在于，包括：顯示區(qū)域、外圍區(qū)域、多個自容式觸控電極設(shè)置在所述顯示區(qū)域內(nèi)以及多根觸控電極引線連接所述自容式觸控電極；

其中每個所述自容式觸控電極分別連接一根所述觸控電極引線，多個所述自容式觸控電極呈多行和多列的矩陣分布，多個所述自容式觸控電極呈區(qū)域分組設(shè)置；

其中所述自容式觸控基板還包括設(shè)置在所述外圍區(qū)域中的薄膜晶體管開關(guān)電路和自容式觸控電極外圍引線；

多個所述自容式觸控電極按照分組的方式與所述薄膜晶體管開關(guān)電路相連接；其中所述薄膜晶體管開關(guān)電路為多級薄膜晶體管開關(guān)電路；所述自容式觸控基板包括長端和短端；

其中，所述薄膜晶體管開關(guān)電路為二級薄膜晶體管開關(guān)電路，所述二級薄膜晶體管開關(guān)電路包含第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管；其中所述第一薄膜晶體管包括觸控電極引線，連接FPC端觸控電極引線，下層array陣列基板的源極，漏極，柵極；所述觸控電極引線和所述連接FPC端觸控電極引線通過所述第一薄膜晶體管開關(guān)電路進行導(dǎo)通與斷開,相鄰兩條觸控電極引線對應(yīng)一個薄膜晶體管開關(guān)構(gòu)成一個數(shù)據(jù)選擇電路，通過所述柵極電路發(fā)送相鄰的時鐘信號依次對兩個薄膜晶體管開關(guān)進行高速驅(qū)動。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自容式觸控基板，其特征在于，所述自容式觸控基板至少包含層疊設(shè)置的柔性基板、陣列驅(qū)動電路、有機發(fā)光層、薄膜封裝層、層間絕緣層、自容式觸控電極層以及平坦層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的自容式觸控基板，其特征在于，所述自容式觸控電極層為單層金屬網(wǎng)格結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自容式觸控基板，其特征在于，多個所述自容式觸控電極在所述長端方向上分為對稱的兩部分區(qū)域設(shè)置，對應(yīng)所述對稱的兩部分區(qū)域的多根所述觸控電極引線沿所述短端方向引出，連接到所述薄膜晶體管開關(guān)電路上；且所述自容式觸控電極的觸控電極區(qū)域面積沿所述短端方向依次減小。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的自容式觸控基板，其特征在于，對應(yīng)所述對稱的兩部分區(qū)域的多根所述觸控電極引線沿所述短端方向的相同方向引出或?qū)?yīng)所述對稱的兩部分區(qū)域的多根所述觸控電極引線沿所述短端方向的相反方向引出。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自容式觸控基板，其特征在于，多個所述自容式觸控電極在所述短端方向上分為對稱的兩部分區(qū)域設(shè)置，對應(yīng)所述對稱的兩部分區(qū)域的多根所述觸控電極引線沿所述短端方向引出，連接到所述薄膜晶體管開關(guān)電路上；且所述自容式觸控電極的觸控電極區(qū)域面積沿所述短端方向依次減小。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的自容式觸控基板，其特征在于，對應(yīng)所述對稱的兩部分區(qū)域的多根所述觸控電極引線沿所述短端方向的相反方向引出。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自容式觸控基板，其特征在于，多根所述觸控電極引線為金屬網(wǎng)格走線，所述金屬網(wǎng)格走線的金屬網(wǎng)格的通道寬度大于3個網(wǎng)格單元，且所述金屬網(wǎng)格具有多處斷口。

9.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括如權(quán)利要求1到8所述的自容式觸控基板。