[發(fā)明專利]一種改進潔凈腔室內環(huán)境的方法

在審

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• 申請日: 2020-06-23
• 公開（公告）號: CN113838733A
• 公開（公告）日: 2021-12-24
• 發(fā)明（設計）人: 張仕月;初春
• 申請（專利權）人: 拓荊科技股份有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 沈陽維特專利商標事務所(普通合伙) 21229
• 代理人: 甄玉荃

本發(fā)明提供了一種改進潔凈腔室內環(huán)境的方法，該方法將等離子體反應后的腔室清洗分為兩步進行，包括低溫清洗和升溫過程中清洗；應用于大于400℃的高溫反應腔室。本發(fā)明通過調整反應襯底與頂部氣板之間的距離，配合溫度的變化，實現在不影響clean效率的同時降低對腔體部件的傷害，增加使用壽命。該方法可以實現現場校準，具有良好的生產經濟價值。

技術領域

本發(fā)明屬于半導體制造技術領域，涉及一種改進潔凈腔室內環(huán)境的方法。

背景技術

等離子體反應腔室內的襯底沉積薄膜時，整個腔室襯底以外的部分也會形成薄膜，一定工藝次數之后，需要對腔體進行清洗，無論是用RPS清洗法還是原位等離子體清洗法都是為了提高對反應腔室內的清洗效率。

然而高溫反應腔若在高溫下經過長時間的clean，會對陶瓷加熱盤和腔內Al制器件造成損傷，影響使用壽命。

發(fā)明內容

為了解決上述技術問題，本發(fā)明提出了一種改進潔凈腔室內環(huán)境的方法。該方法可以實現現場校準。

本發(fā)明可以通過如下技術方案實現：

一種改進潔凈腔室內環(huán)境的方法，通過清洗等離子體處理工藝使用的反應腔室襯底及腔室襯底以外部分堆積的聚合物來潔凈腔室內環(huán)境；該方法應用于大于400℃的高溫反應腔室中；

其中所述清洗包括如下步驟：(1)將沉積后的晶圓傳出反應腔，降低加熱盤的溫度，調整反應襯底與頂部氣板之間的距離，進行第一次清洗；

(2)增加反應襯底與頂部氣板之間的距離，升高加熱盤的溫度，進行第二次清洗。

進一步地，所述步驟(1)中反應襯底與頂部氣板之間的距離為6-20mm，加熱盤的溫度降低為200-400℃。

進一步地，降溫時間為工藝結束到晶圓全部傳出晶圓加工腔室的時間。

進一步地，所述步驟(1)中第一次清洗時：Ar流量為2000-8000sccm,壓力為3-8torr。

進一步地，所述步驟(1)中通入的清洗氣體為NF₃，NF₃為8000-42000sccm。

進一步地，所述步驟(2)中增加反應襯底與頂部氣板之間的距離至21-80mm，加熱盤的溫度升高為400-650℃。

進一步地，第二次清洗時，Ar 2000-8000sccm，壓力設置為1-5torr。

進一步地，通入的清洗氣體為NF₃，NF₃為8000-42000sccm。

本發(fā)明的有益效果：

本發(fā)明通過將低溫小距離下清洗與高溫大距離下清洗相結合，在不影響清洗效率的同時降低對腔體部件的傷害，增加使用壽命。該方法可以實現現場校準，具有良好的生產經濟價值。

附圖說明

為了便于本領域技術人員理解，下面結合附圖對本發(fā)明作進一步的說明。

圖1是本發(fā)明一種改進潔凈腔室內環(huán)境的工藝流程圖。

具體實施方式

本實施例通過清洗等離子體處理工藝使用的反應腔室襯底及腔室襯底以外部分堆積的聚合物來潔凈腔室內環(huán)境；現有技術采用高溫下長時間清洗，高溫反應腔若在高溫下經過長時間的清洗，會對陶瓷加熱盤和腔內的Al制器件造成損傷，影響使用壽命。

本實施例通過將離子體反應后的腔室清洗分為兩步進行，包括低溫清洗和升溫過程中清洗；應用于大于400℃的高溫反應腔室。