[發(fā)明專利]一種新型等離子升華結(jié)晶爐及碳化硅晶體棒的制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010581045.8 | 申請日： | 2020-06-23 |
| 公開（公告）號： | CN111663184A | 公開（公告）日： | 2020-09-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 柯良節(jié) | 申請（專利權(quán)）人： | 柯良節(jié) |
| 主分類號： | C30B29/36 | 分類號： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 深圳市君勝知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 徐凱凱 |
| 地址： | 中國香港火炭穗禾*** | 國省代碼： | 香港;81 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 新型 等離子 升華 結(jié)晶 碳化硅 晶體 制備 方法 | ||
1.一種新型等離子升華結(jié)晶爐，其特征在于，包括密封腔體，設(shè)置在所述密封腔體內(nèi)的結(jié)晶模具以及等離子加熱器，所述等離子加熱器用于對放置在密封腔體內(nèi)的碳化硅進(jìn)行加熱生成氣化碳化硅，所述結(jié)晶模具用于將所述氣化碳化硅聚集并結(jié)晶生成碳化硅晶體棒。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型等離子升華結(jié)晶爐，其特征在于，所述結(jié)晶模具為棒狀結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型等離子升華結(jié)晶爐，其特征在于，所述密封腔體內(nèi)還設(shè)置有通入惰性氣體的充氣孔。
4.一種基于權(quán)利要求1-3任一所述新型等離子升華結(jié)晶爐的碳化硅晶體棒的制備方法，其特征在于，包括步驟：
向密封空間內(nèi)通入惰性氣體；
采用等離子加熱器對放置在所述密封腔體內(nèi)的碳化硅進(jìn)行加熱，得到氣化碳化硅；
通過所述結(jié)晶模具使氣化碳化硅重新結(jié)晶，形成完整的碳化硅晶體棒。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述碳化硅晶體棒的制備方法，其特征在于，所述惰性氣體為氮?dú)狻鍤狻⒑饣蚰蕷庵械囊环N。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述碳化硅晶體棒的制備方法，其特征在于，所述等離子加熱器的加熱溫度為2000-3000℃。
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