[發明專利]薄膜體聲波諧振器制作方法、薄膜體聲波諧振器及濾波器

有效

• 申請號: 202010580855.1
• 申請日: 2020-06-23
• 公開（公告）號: CN111654258B
• 公開（公告）日: 2023-06-30
• 發明（設計）人: 董鵬;張智欣;邊旭明;段斌;王琦
• 申請（專利權）人: 北京航天微電科技有限公司
• 主分類號: H03H9/17
• 分類號: H03H9/17;H03H3/02;H03H9/02
• 代理公司: 北京輕創知識產權代理有限公司 11212
• 代理人: 徐琪琦

1.一種薄膜體聲波諧振器制作方法，其特征在于，包括：

在襯底基片(100)的上表面制備壓電薄膜(101)；

在所述壓電薄膜(101)的上表面制備金屬頂電極(102)，并對所述金屬頂電極(102)進行圖形化；

在所述壓電薄膜(101)的上表面制備臨時晶圓鍵合介質層(103)，其中，所述臨時晶圓鍵合介質層(103)完全覆蓋圖形化的所述金屬頂電極(102)；

通過臨時鍵合工藝在所述臨時晶圓鍵合介質層(103)的上表面黏結第一載片晶圓(200)；

去除所述襯底基片(100)，并對所述壓電薄膜(101)進行圖形化；

在所述壓電薄膜(101)的下表面制備金屬底電極(104)，并對所述金屬底電極(104)進行圖形化；

在圖形化的所述壓電薄膜(101)的下表面制備永久晶圓鍵合介質層(105)，其中，所述永久晶圓鍵合介質層(105)完全覆蓋圖形化的所述金屬底電極(104)；

在所述永久晶圓鍵合介質層(105)的下表面永久鍵合設有凹槽結構(301)的第二載片晶圓(300)，其中，所述凹槽結構(301)的開口與所述永久晶圓鍵合介質層(105)的下表面貼合；

去除所述第一載片晶圓(200)和所述臨時晶圓鍵合介質層(103)，得到薄膜體聲波諧振器；

其中，所述在襯底基片(100)的上表面制備壓電薄膜(101)，包括：

分別通過離子注入工藝、化學氣相沉積技術、磁控濺射技術，或者通過磁控濺射技術與化學氣相沉積技術相結合的方式，在所述襯底基片(100)的上表面制備厚度為500nm～10μm的所述壓電薄膜(101)。

2.根據1所述的一種薄膜體聲波諧振器制作方法，其特征在于，所述通過臨時鍵合工藝在所述臨時晶圓鍵合介質(103)的上表面黏結第一載片晶圓(200)，包括：

通過設置好鍵合參數的臨時鍵合工藝在所述臨時晶圓鍵合介質層(103)的上表面黏結第一載片晶圓(200)，其中，所述鍵合參數包括：鍵合溫度為150～450℃，鍵合壓力為1KN～6KN。

3.根據權利要求1或2所述的一種薄膜體聲波諧振器制作方法，其特征在于，所述去除所述襯底基片(100)之后，還包括：

通過化學機械拋光的方式對所述壓電薄膜(101)的下表面進行拋光處理。

4.根據權利要求1或2所述的一種薄膜體聲波諧振器制作方法，其特征在于，所述在所述壓電薄膜(101)的上表面制備金屬頂電極(102)，包括：

通過光刻工藝、鍍膜工藝、剝離工藝或刻蝕工藝在所述壓電薄膜(101)的上表面制備厚度為200nm～2μm的所述金屬頂電極(102)。

5.根據權利要求1或2所述的一種薄膜體聲波諧振器制作方法，其特征在于，所述在所述壓電薄膜(101)的上表面制備臨時晶圓鍵合介質層(103)，包括：

通過旋涂工藝在所述壓電薄膜(101)的上表面制備厚度為5μm～50μm的所述臨時晶圓鍵合介質層(103)，其中，所述臨時晶圓鍵合介質層(103)的材質為聚合物材料。

6.根據權利要求1或2所述的一種薄膜體聲波諧振器制作方法，其特征在于，所述在圖形化的所述壓電薄膜(101)的下表面制備永久晶圓鍵合介質層(105)，包括：

通過化學氣相沉積技術在圖形化的所述壓電薄膜(101)的下表面制備所述永久晶圓鍵合介質層(105)。

7.根據權利要求1或2所述的一種薄膜體聲波諧振器制作方法，其特征在于，所述去除所述第一載片晶圓(200)和所述臨時晶圓鍵合介質層(103)，包括：

通過機械解鍵合工藝、激光解鍵合工藝、背面研磨減薄法、干法刻蝕工藝或濕法腐蝕工藝去除所述第一載片晶圓(200)；

通過濕法或干法清洗去除所述臨時晶圓鍵合介質層(103)。