[發明專利]半導體加工設備

在審

• 申請號: 202010580562.3
• 申請日: 2020-06-23
• 公開（公告）號: CN111725108A
• 公開（公告）日: 2020-09-29
• 發明（設計）人: 董金衛
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;C23C16/54;C23C16/455
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 施敬勃

1.一種半導體加工設備，其特征在于，包括：

反應腔室(100)；

工藝管(200)，所述工藝管(200)的至少部分處于所述反應腔室(100)內；

所述工藝管(200)具有容置部(210)、進氣部(220)和出氣部(230)，所述進氣部(220)具有進氣口(221)，所述出氣部(230)具有出氣口(231)，所述工藝管(200)開設有多個進氣孔(240)和多個出氣孔(250)，多個所述進氣孔(240)和多個所述出氣孔(250)在所述工藝管(200)的軸線方向間隔分布，且所述進氣孔(240)連通所述進氣部(220)與所述容置部(210)，所述出氣孔(250)連通所述容置部(210)與所述出氣部(230)。

2.根據權利要求1所述的半導體加工設備，其特征在于，所述工藝管(200)包括工藝管主體(260)、第一槽狀結構件(270)和第二槽狀結構件(280)；所述第一槽狀結構件(270)和所述第二槽狀結構件(280)設置于所述工藝管主體(260)的側壁上，且所述工藝管主體(260)的側壁的內部空間為所述容置部(210)，所述工藝管主體(260)的側壁上開設有所述進氣孔(240)和所述出氣孔(250)，所述第一槽狀結構件(270)與所述工藝管主體(260)的側壁形成所述進氣部(220)；且所述第二槽狀結構件(280)與所述工藝管主體(260)的側壁形成所述出氣部(230)。

3.根據權利要求2所述的半導體加工設備，其特征在于，所述第一槽狀結構件(270)和所述第二槽狀結構件(280)的槽壁均為弧形結構件。

4.根據權利要求1所述的半導體加工設備，其特征在于，所述進氣孔(240)在遠離所述進氣口(221)的位置上分布的密度大于所述進氣孔(240)在靠近所述進氣口(221)的位置上分布的密度。

5.根據權利要求4所述的半導體加工設備，其特征在于，在遠離所述進氣口(221)的方向上，相鄰兩個所述進氣孔(240)之間的間距逐漸減小。

6.根據權利要求1所述的半導體加工設備，其特征在于，在遠離所述進氣口(221)的方向上，所述進氣孔(240)的直徑逐漸增大。

7.根據權利要求4或6所述的半導體加工設備，其特征在于，所述進氣孔(240)與所述出氣孔(250)相對設置。

8.根據權利要求1所述的半導體加工設備，其特征在于，所述進氣孔(240)在所述進氣部(220)內呈多列分布，每一列所述進氣孔(240)均沿著所述工藝管(200)的軸線方向設置。

9.根據權利要求1所述的半導體加工設備，其特征在于，所述出氣孔(250)在所述出氣部(230)內呈多列分布，每一列所述出氣孔(250)均沿著所述工藝管(200)的軸線方向設置。

10.根據權利要求2所述的半導體加工設備，其特征在于，所述第一槽狀結構件(270)和所述第二槽狀結構件(280)設置于所述工藝管主體(260)相對的兩側。

11.根據權利要求2所述的半導體加工設備，其特征在于，所述工藝管主體(260)、所述第一槽狀結構件(270)和所述第二槽狀結構件(280)的材質均為石英或碳化硅。

12.根據權利要求2所述的半導體加工設備，其特征在于，所述第一槽狀結構件(270)和所述第二槽狀結構件(280)與所述工藝管主體(260)一體成型。