[發明專利]碳化硅與硅混合并聯開關管驅動電路

有效

• 申請號: 202010580501.7
• 申請日: 2020-06-23
• 公開（公告）號: CN111669034B
• 公開（公告）日: 2023-05-02
• 發明（設計）人: 付永升;任海鵬;王云
• 申請（專利權）人: 西安工業大學
• 主分類號: H02M1/088
• 分類號: H02M1/088
• 代理公司: 西安新思維專利商標事務所有限公司 61114
• 代理人: 黃秦芳

1.碳化硅與硅混合并聯開關管驅動電路，其特征在于：其中包括一個用于驅動高壓開關管?或高壓開關管的驅動器（Driver），以用來接收處理器發出來的PWM信號；

在驅動高壓的電路中，驅動器（Driver）與之間添加了兩組輔助電路：輔助電路包含電容、電阻、一個低壓的N溝道MOSFET?，該電容一端與原有的驅動器（Driver）相連，同時與低壓的N溝道MOSFET源極相連，另一端與電阻相連，同時與低壓的N溝道MOSFET?柵極相連，電阻的另一端與高壓開關管的源極和驅動系統的參考地相連，輔助電路包含電容、電阻、和一個低壓的P溝道MOSFET?；電容與低壓的N溝道MOSFET?漏極相連，電阻一端與低壓的P溝道MOSFET?的柵極相連，另一端與高壓開關管的源極和驅動系統的參考地相連，所述低壓的P溝道MOSFET的漏極與主開關管的柵極相連；輔助電路中低壓的N溝道MOSFET?漏極與輔助電路中的源極相連；

在驅動高壓的電路中，驅動器（Driver）與之間添加了輔助電路，其由電容、電阻、和一個低壓的P溝道MOSFET?，該電容一端與原有的驅動器（Driver）相連，同時與低壓的P溝道MOSFET源極相連，另一端與電阻相連，同時與低壓的P溝道MOSFET?柵極相連，電阻的另一端與高壓開關管的基極相連，低壓的P溝道MOSFET漏極與主開關管的發射極和驅動系統的參考地相連。