[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體硅片超聲和兆聲清洗系統(tǒng)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010580316.8
• 申請(qǐng)日: 2020-07-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111701947B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-06-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張正偉;周伯成;王永東;王圣福;劉宇航
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 安徽富樂(lè)德科技發(fā)展股份有限公司
• 主分類號(hào): B08B3/12
• 分類號(hào): B08B3/12;B08B13/00;H01L21/67
• 代理公司: 銅陵市天成專利事務(wù)所(普通合伙) 34105
• 代理人: 李坤

1.一種半導(dǎo)體硅片超聲和兆聲清洗系統(tǒng)，其特征在于：包括對(duì)半導(dǎo)體硅片進(jìn)行超聲清洗和兆聲清洗的清洗槽，所述清洗槽的內(nèi)部設(shè)置有吸音隔板，所述吸音隔板的下端與清洗槽的槽底之間設(shè)置有間隙區(qū)，所述吸音隔板的兩側(cè)與清洗槽的側(cè)壁密封連接，所述清洗槽的內(nèi)部被吸音隔板分隔為超聲清洗區(qū)和兆聲清洗區(qū)，所述超聲清洗區(qū)和兆聲清洗區(qū)通過(guò)間隙區(qū)連通；所述兆聲清洗區(qū)的內(nèi)部設(shè)置有兆聲波振板、位于兆聲波振板上方的第一網(wǎng)槽，所述兆聲清洗區(qū)的側(cè)壁安裝有用來(lái)支撐第一網(wǎng)槽的第一支撐板；所述超聲清洗區(qū)的內(nèi)部設(shè)置有超聲波振板、位于超聲波振板上方的第二網(wǎng)槽，所述超聲清洗區(qū)的側(cè)壁安裝有用來(lái)支撐第二網(wǎng)槽的第二支撐板，所述超聲清洗區(qū)的內(nèi)部交錯(cuò)設(shè)置有呈水平設(shè)置的吸音平板，所述吸音平板均設(shè)置在超聲波振板和清洗槽的槽底之間，所述超聲波振板和第二網(wǎng)槽的槽底之間安裝有音壓計(jì)；所述清洗槽的槽口處安裝有將超聲清洗區(qū)和兆聲清洗區(qū)封閉的封蓋，所述封蓋處設(shè)置有與超聲清洗區(qū)相連通的第一通孔、與兆聲清洗區(qū)相連通的第二通孔，所述第一通孔設(shè)置在第二網(wǎng)槽的正上方，所述第二通孔設(shè)置在第一網(wǎng)槽的正上方，所述封蓋的上方設(shè)置有用來(lái)封堵第一通孔的第一孔塞、用來(lái)封堵第二通孔的第二孔塞；

所述清洗槽的內(nèi)部填充有清洗液，所述超聲清洗區(qū)處清洗液的液面與封蓋之間的區(qū)域?yàn)榈谝粴鈮簠^(qū)，所述兆聲清洗區(qū)處清洗液的液面與封蓋之間的區(qū)域?yàn)榈诙鈮簠^(qū)，所述封蓋的上方安裝有與第一氣壓區(qū)相連通的第一排空閥、用來(lái)測(cè)量第一氣壓區(qū)處氣壓值的第一氣壓表、與第二氣壓區(qū)相連通的第二排空閥、以及用來(lái)測(cè)量第二氣壓區(qū)處氣壓值的第二氣壓表；

所述清洗槽的外部設(shè)置有單向閥、增壓泵、氣閥，所述單向閥的輸入端與第一氣壓區(qū)連通，所述單向閥的輸出端與增壓泵的輸入端連通，所述增壓泵的輸出端與氣閥的一端連通，所述氣閥的另一端與第二氣壓區(qū)連通。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體硅片超聲和兆聲清洗系統(tǒng)，其特征在于：所述超聲清洗區(qū)處清洗液的液面高度高于兆聲清洗區(qū)處清洗液的液面高度，所述超聲清洗區(qū)處清洗液的液面高度與兆聲清洗區(qū)處清洗液的液面高度之間的高度差為ΔH，ΔH大于1.25米。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體硅片超聲和兆聲清洗系統(tǒng)，其特征在于：所述清洗槽的下方安裝有排污閥，所述清洗槽的槽底設(shè)置有與排污閥輸入端相連通的排污孔。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體硅片超聲和兆聲清洗系統(tǒng)，其特征在于：所述吸音平板和吸音隔板均采用吸音板制成，所述吸音平板的厚度小于吸音隔板的厚度；所述吸音板包括反射板、金屬箱、火山巖板，所述反射板的正面為鏡面設(shè)置，所述金屬箱的一側(cè)與反射板的背面固定連接，金屬箱的另一側(cè)與火山巖板的背面固定連接，所述火山巖板的正面為褶皺狀結(jié)構(gòu)；所述金屬箱的內(nèi)部填充有吸音棉。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種半導(dǎo)體硅片超聲和兆聲清洗系統(tǒng)，其特征在于：所述火山巖板由若干個(gè)火山巖板塊拼接并粘接制成，火山巖板塊采用平均空隙率超過(guò)51%的正方體狀火山巖塊經(jīng)過(guò)表面處理制成；對(duì)火山巖塊進(jìn)行表面處理的方法為：將邊長(zhǎng)為5~6cm的正方體狀火山巖塊在硅烷類偶聯(lián)劑中浸泡30min后，在離心機(jī)中進(jìn)行甩干，在900-950r/min的轉(zhuǎn)速下離心3-4min，然后在轉(zhuǎn)速為300-350r/min下進(jìn)行烘干，烘干溫度為75-80℃，烘干時(shí)間為1-2h，冷卻后得到粗產(chǎn)品；然后將粗產(chǎn)品在憎水劑水溶液中浸泡12-15min，之后在離心機(jī)中進(jìn)行甩干，在900-950r/min的轉(zhuǎn)速下離心6-8min，然后在轉(zhuǎn)速為300-350r/min下進(jìn)行烘干，烘干溫度為85-90℃，烘干時(shí)間為2-3h，冷卻后即得到成品；其中，憎水劑水溶液是將憎水劑和水按照質(zhì)量比1:13.6的比例混合制成。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種半導(dǎo)體硅片超聲和兆聲清洗系統(tǒng)，其特征在于：對(duì)半導(dǎo)體硅片進(jìn)行的超聲清洗和兆聲清洗同步進(jìn)行，對(duì)半導(dǎo)體硅片進(jìn)行超聲清洗的超聲清洗區(qū)，音壓計(jì)測(cè)得的音壓為0.82±0.06W/cm²，超聲清洗區(qū)中第一氣壓區(qū)處的氣壓為93.831-96.665kPa；對(duì)半導(dǎo)體硅片進(jìn)行兆聲清洗的兆聲清洗區(qū)，兆聲頻率為0.85±0.01MHz，第二氣壓區(qū)處的氣壓為105.985-107.376kPa。