[發明專利]移相器及天線

有效

• 申請號: 202010580249.X
• 申請日: 2020-06-23
• 公開（公告）號: CN111864317B
• 公開（公告）日: 2022-03-01
• 發明（設計）人: 方家;于海;鄭洋;曲峰
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01P1/18
• 分類號: H01P1/18;H01Q3/36
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 李迎亞;姜春咸

本發明提供一種移相器和天線，屬于通信技術領域，其可解決現有共面波導(CPW)傳輸線的彎折方式對液晶移相器性能產生影響的問題。本發明的移相器，其第一基板包括第一基底、基底電極和信號電極；信號電極包括主體結構和連接在所述主體結構長度方向上的多個分支結構；第二基板包括第二基底、設置在所述第二基底靠近介質層一側的多個貼片電極；多個貼片電極與多個分支結構一一對應設置，形成多個可變電容；且每一貼片電極與基底電極在第一基底上的正投影至少部分重疊；多個可變電容呈線性排布，限定出可變電容區；可變電容區具有至少一個子拐角區，信號電極在子拐角區具有多個彎折角，且多個彎折角的角度之和為90°。

技術領域

本發明屬于通信技術領域，具體涉及一種移相器及天線。

背景技術

現今的液晶移相器結構，在對盒后的上玻璃基板引入周期性的可變電容加載，可變電容的調節是通過調節異面兩金屬板上加載的電壓差驅動液晶分子偏轉，得到不同的液晶材料特性，對應到電容的容值可變。

發明內容

本發明所要解決的技術問題包括，針對共面波導(CPW)傳輸線的彎折方式對液晶移相器性能產生影響的問題，提供一種傳輸損耗小的高性能移相器和天線。

第一方面，解決本發明技術問題所采用的技術方案是一種移相器，其包括：相對設置的第一基板和第二基板，以及設置在所述第一基板和所述第二基板之間的介質層；

所述第一基板包括：第一基底，設置在所述第一基底靠近所述介質層一側的基底電極和信號電極；所述信號電極包括：主體結構和連接在所述主體結構長度方向上的多個分支結構；

所述第二基板包括：第二基底，設置在所述第二基底靠近所述介質層一側的多個貼片電極；所述多個貼片電極與所述多個分支結構一一對應設置，形成多個可變電容；且每一所述貼片電極與所述基底電極在所述第一基底上的正投影至少部分重疊；

多個所述可變電容呈線性排布，限定出可變電容區；所述可變電容區具有至少一個子拐角區，所述信號電極在所述子拐角區具有多個彎折角；且所述多個彎折角的角度之和為90°。

在一些實施例中，所述多個彎折角的角度均相等。

在一些實施例中，所述多個彎折角中的每個均為45°。

在一些實施例中，所述彎折區的中心設置有一所述可變電容。

在一些實施例中，所述基底電極包括第一子基底電極和第二子基底電極；所述第一子基底電極和所述第二子基底電極分別位于所述主體結構長度方向的兩相對側，且分別與所述分支結構一一對應設置；

所述第一子基底電極和所述第二子基底電極的彎折角與所述信號電極的彎折角一一對應設置。

在一些實施例中，任意兩相鄰所述可變電容之間的間距相同。

在一些實施例中，所述分支結構貫穿所述主體結構。

在一些實施例中，所述分支結構與所述主體結構為一體成型結構。

在一些實施例中，所述介質層包括液晶分子。

第二方面，解決本發明技術問題所采用的技術方案是一種天線，其包括上述的移相器。

附圖說明

圖1為一種傳輸線周期性并聯加載可變電容的等效模型；

圖2為一種移相器的俯視圖；

圖3為圖2的A-A'的截面圖；

圖4為本發明實施例的一種移相器的俯視圖；

圖5為本發明實施例的移相器不同彎折情況下的移相器性能變化的仿真示意圖；

圖6為本發明實施例的移相器中不同可變電容排布情況示意圖；