[發(fā)明專利]帶外延層的半導(dǎo)體器件及其制作方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010580005.1 | 申請(qǐng)日： | 2020-06-23 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN113838747A | 公開(kāi)（公告）日： | 2021-12-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 徐泉;朱星宇 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/265 | 分類號(hào)： | H01L21/265;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海弼興律師事務(wù)所 31283 | 代理人： | 薛琦;張冉 |
| 地址： | 200233 *** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 外延 半導(dǎo)體器件 及其 制作方法 | ||
1.一種帶外延層的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，在N型外延工藝之前，對(duì)P型襯底進(jìn)行N-離子注入，以阻擋延緩所述P型襯底中的P型雜質(zhì)在所述N型外延工藝過(guò)程中的反向擴(kuò)散。
2.如權(quán)利要求1所述的帶外延層的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，在所述對(duì)P型襯底進(jìn)行N-離子注入的步驟之后以及在所述N型外延工藝的步驟之前，還包括埋層推進(jìn)的步驟。
3.如權(quán)利要求1或2所述的帶外延層的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述N-離子為砷離子。
4.如權(quán)利要求3所述的帶外延層的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述砷離子的劑量范圍為1E12～3E13。
5.如權(quán)利要求3所述的帶外延層的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述砷離子注入的能量范圍為40Kev～160Kev。
6.如權(quán)利要求5所述的帶外延層的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述砷離子注入的能量為120Kev。
7.如權(quán)利要求1所述的帶外延層的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件為雙極型器件。
8.一種帶外延層的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件使用如權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的帶外延層的半導(dǎo)體器件的制作方法制造生成。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
