[發明專利]成像裝置和電子設備在審
| 申請號: | 202010579741.5 | 申請日: | 2018-07-25 |
| 公開(公告)號: | CN111863844A | 公開(公告)日: | 2020-10-30 |
| 發明(設計)人: | 高橋圭一郎;小林一仁;錦織克美;田中翔悠 | 申請(專利權)人: | 索尼半導體解決方案公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N5/225;H04N5/232 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人: | 梁興龍;曹正建 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 成像 裝置 電子設備 | ||
1.一種成像裝置,包括:
包括多個像素組的像素陣列單元,所述多個像素組中的每個像素組是i)僅包括普通像素的普通像素組或ii)包括至少一個普通像素和至少一個相位差檢測像素的混合像素組中的一種,其中
對于每個普通像素組,所述普通像素接收透過同色的濾色器的光,和
對于每個混合像素組,所述至少一個相位差檢測像素與至少一個其他相位差檢測像素共享片上透鏡,并接收透過與所述至少一個其他相位差檢測像素同色的濾色器的光。
2.根據權利要求1所述的成像裝置,其中
所述多個像素組中的每個像素組均包括2×2陣列的四個像素,和
對于所述混合像素組,所述四個像素包括所述至少一個相位差檢測像素。
3.根據權利要求2所述的成像裝置,其中
所述至少一個相位差檢測像素包括第一相位差檢測像素,所述至少一個其他相位差檢測像素包括第二相位差檢測像素,并且第一相位差檢測像素與第二相位差檢測像素彼此相鄰且屬于不同的混合像素組。
4.根據權利要求3所述的成像裝置,其中
第一相位差檢測像素的觸頭和第二相位差檢測像素的觸頭與同一驅動線電氣連接。
5.根據權利要求4所述的成像裝置,其中
所述多個像素組中的每個像素組內的普通像素的觸頭與相應的驅動線電氣連接,以針對每個普通像素控制曝光時間,和
第一相位差檢測像素的觸頭和第二相位差檢測像素的觸頭與同一驅動線電氣連接,使得第一相位差檢測像素和第二相位差檢測像素具有相同的曝光時間。
6.根據權利要求1所述的成像裝置,還包括:
多個浮動擴散區域,每個浮動擴散區域用于相應的像素組;和
多個像素電路,每個像素電路用于相應的像素組。
7.根據權利要求5所述的成像裝置,其中
所述多個像素組以矩陣狀排列,和
所述混合像素組在行方向和列方向上以預定間隔配置。
8.根據權利要求1所述的成像裝置,其中
所述多個像素組中的每個像素組均包括以2×2陣列配置的四個像素,
所述至少一個相位差檢測像素包括第一相位差檢測像素,
所述至少一個其他相位差檢測像素包括第二相位差檢測像素,和
第一和第二相位差檢測像素具有相同的曝光時間。
9.根據權利要求5所述的成像裝置,其中
所述四個像素包括具有第一曝光時間的第一普通像素和具有比第一曝光時間短的第二曝光時間的第二普通像素,和
第一相位差檢測像素和第二相位差檢測像素的相同的曝光時間在第一曝光時間和第二曝光時間之間。
10.根據權利要求8所述的成像裝置,其中
所述四個像素包括具有第一曝光時間的第一普通像素和具有比第一曝光時間短的第二曝光時間的第二普通像素,和
第一相位差檢測像素和第二相位差檢測像素的相同的曝光時間是第一曝光時間。
11.根據權利要求6所述的成像裝置,其中
第一相位差檢測像素和第二相位差檢測像素與不同的浮動擴散區域聯接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





