[發明專利]一種二分頻電路及一種芯片在審
| 申請號： | 202010579652.0 | 申請日： | 2020-06-23 |
| 公開（公告）號： | CN111669175A | 公開（公告）日： | 2020-09-15 |
| 發明（設計）人： | 何力;李學建 | 申請（專利權）人： | 湖南國科微電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H03L7/18 | 分類號： | H03L7/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 劉奕 |
| 地址： | 410131 湖南省長沙市*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 分頻 電路 芯片 | ||
1.一種二分頻電路，其特征在于，包括第一反相單元、第二反相單元和第三反相單元；
所述第一反相單元的輸入端連接信號源輸出端，所述第一反相單元的輸出端連接所述第二反相單元的輸入端，所述第二反相單元的輸出端連接所述第三反相單元的輸入端，所述第三反相單元的輸出端連接所述信號源輸出端，所述第一反相單元、所述第二反相單元和所述第三反相單元均通過一電源供電。
2.根據權利要求1所述的二分頻電路，其特征在于，所述第一反相單元包括第一PMOS管、第一NMOS管和第二PMOS管；
所述第一PMOS管的柵極連接所述第一NMOS管的柵極，并作為所述第一反相單元的輸入端，所述第一PMOS管的源級連接所述電源，所述第一PMOS管的漏極連接所述第二PMOS管的源極；
所述第一NMOS管的源級連接地線，所述第一NMOS管的漏極連接所述第二PMOS管的漏極，并作為所述第一反相單元的輸出端；
所述第二PMOS管的柵極接入輸入時鐘信號。
3.根據權利要求1所述的二分頻電路，其特征在于，所述第二反相單元包括第二NMOS管、第三NMOS管和第三PMOS管；
所述第二NMOS管的柵極作為所述第二反相單元的輸入端，所述第二NMOS管的源級連接所述第三NMOS管的漏極，所述第二NMOS管的的漏極連接所述第三PMOS管的漏極，并作為所述第二反相單元的輸出端；
所述第三NMOS管的柵極接入所述輸入時鐘信號，所述第三NMOS管的源級連接地線；
所述第三PMOS管的柵極接入所述輸入時鐘信號，所述第三PMOS管的源級連接所述電源。
4.根據權利要求1所述的二分頻電路，其特征在于，所述第三反相單元包括第四NMOS管、第四PMOS管和第五NMOS管；
所述第四NMOS管的柵極連接所述第四PMOS管的柵極，并作為所述第三反相單元的輸入端，所述第四NMOS管的源級連接地線，所述第四NMOS管的漏極連接所述第五NMOS管的源極；
所述第四PMOS管的源級連接所述電源，所述第四PMOS管的漏極連接所述第五NMOS管的漏極，并作為所述第三反相單元的輸出端；
所述第五NMOS管的柵極接入所述輸入時鐘信號。
5.根據權利要求2所述的二分頻電路，其特征在于，所述第一反相單元還包括連接在所述第一PMOS管的漏極和所述第二PMOS管的源極之間的第一電阻。
6.根據權利要求3所述的二分頻電路，其特征在于，所述第二反相單元還包括連接在所述第二NMOS管的源級和所述第三NMOS管的漏極之間的第二電阻。
7.根據權利要求4所述的二分頻電路，其特征在于，所述第三反相單元還包括連接在所述第四PMOS管的漏極和所述第五NMOS管的漏極之間的第三電阻。
8.一種芯片，其特征在于，包括如權利要求1至7任意一項所述的二分頻電路。
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