[發明專利]裝飾材料及其制備方法和電子設備在審
| 申請號: | 202010579396.5 | 申請日: | 2020-06-23 |
| 公開(公告)號: | CN113046687A | 公開(公告)日: | 2021-06-29 |
| 發明(設計)人: | 羅富華;馬蘭;劉晨岑;劉玉陽 | 申請(專利權)人: | 比亞迪股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/06 | 分類號: | C23C14/06;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/16;C23C14/02 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518118 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 裝飾 材料 及其 制備 方法 電子設備 | ||
1.一種裝飾材料,其特征在于,包括:
基體;
過渡層,所述過渡層設置在所述基體的一側;
顏色層,所述顏色層設置在所述過渡層遠離所述基體的一側;
連接層,所述連接層設置在所述顏色層遠離所述過渡層的一側;
鍍膜層,所述鍍膜層設置在所述連接層遠離所述顏色層的一側;
所述鍍膜層包括依次層疊設置的多層子鍍膜層,多層所述子鍍膜層中靠近所述連接層的子鍍膜層為第一子鍍膜層,所述第一子鍍膜層的熱膨脹系數為3×10-6/K -6×10-6/K,所述連接層的熱膨脹系數為5×10-6/K -10×10-6/K,且所述第一子鍍膜層的熱膨脹系數小于所述連接層的熱膨脹系數。
2.根據權利要求1所述的裝飾材料,其特征在于,所述過渡層、所述顏色層和所述連接層均為物理氣相沉積鍍層,所述鍍膜層為不導電電鍍鍍層。
3.根據權利要求1所述的裝飾材料,其特征在于,所述連接層的材料包括二氧化硅,所述第一子鍍膜層的材料包括二氧化硅。
4.根據權利要求1所述的裝飾材料,其特征在于,多層所述子鍍膜層包括高折射率子鍍膜層和低折射率子鍍膜層,所述高折射率子鍍膜層和所述低折射率子鍍膜層交替設置;
優選地,所述高折射率子鍍膜層的折射率≥2.0;所述低折射率子鍍膜層的折射率<2.0。
5.根據權利要求1所述的裝飾材料,其特征在于,所述過渡層、所述顏色層與所述連接層的熱膨脹系數呈逐漸減小的變化趨勢;
優選地,所述過渡層、所述顏色層和所述連接層的總厚度為1μm-4μm;
優選地,所述過渡層的厚度為100nm-1000nm,所述顏色層的厚度為1μm-3μm,所述連接層的厚度為20nm-300nm。
6.根據權利要求1所述的裝飾材料,其特征在于,所述過渡層包括依次層疊設置的第一過渡層和第二過渡層,所述第二過渡層設置在所述第一過渡層遠離所述基體的一側;
優選地,所述第一過渡層的厚度為30nm-50nm,所述第二過渡層的厚度為50nm-900nm;
優選地,所述第一過渡層、所述第二過渡層與所述顏色層的膨脹系數呈逐漸減小的變化趨勢;
優選地,所述第一過渡層為金屬層,所述第二過渡層為金屬硅化物層,所述顏色層為金屬碳硅化物層和/或金屬氮硅化物層;
進一步優選地,所述第一過渡層包括Ti層、Cr層和W層中的至少一種,所述第二過渡層包括TiSi層、CrSi層和WSi層中的至少一種,所述顏色層包括TiSiC層、CrSiC層、WSiC層、TiSiN層、CrSiN層和WSiN層中的至少一種。
7.根據權利要求1所述的裝飾材料,其特征在于,所述鍍膜層還包括功能層,所述功能層設置在所述第一子鍍膜層遠離所述連接層的一側;
優選地,所述功能層的厚度為10-50nm;
優選地,所述功能層包括金層、銀層、銅層、鋁層、銦層、錫層、銦錫合金層和銀鋁合金層中的至少一種。
8.根據權利要求1所述的裝飾材料,其特征在于,所述裝飾材料還包括防指紋層,所述防指紋層設置在所述鍍膜層遠離所述連接層的一側。
9.根據權利要求1所述的裝飾材料,其特征在于,所述基體的材料包括鋁合金和/或鎂合金。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于比亞迪股份有限公司,未經比亞迪股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010579396.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種艾草合成鞋墊及其制備工藝
- 下一篇:裝飾材料及其制備方法和電子設備
- 同類專利
- 專利分類





