[發明專利]半導體結構及其制作方法在審
| 申請號： | 202010579349.0 | 申請日： | 2020-06-23 |
| 公開（公告）號： | CN112133691A | 公開（公告）日： | 2020-12-25 |
| 發明（設計）人： | 陳明發;葉松峯;劉醇鴻;史朝文 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/528 | 分類號： | H01L23/528;H01L23/48 |
| 代理公司： | 南京正聯知識產權代理有限公司 32243 | 代理人： | 王素琴 |
| 地址： | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 結構 及其 制作方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體結構，包括：
第一半導體器件及第二半導體器件，其中所述第一半導體器件接合在所述第二半導體器件上；
連接器件，接合在所述第二半導體器件上且排列在所述第一半導體器件旁邊，其中所述連接器件包括第一襯底及多個導通孔，所述多個導通孔穿透過所述第一襯底且電連接到所述第二半導體器件；以及
重布線路結構，位于所述第二半導體器件之上，其中所述第一半導體器件及所述連接器件位于所述重布線路結構與所述第二半導體器件之間，
其中所述重布線路結構及所述第一半導體器件通過所述連接器件的所述多個導通孔電連接到所述第二半導體器件。
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