[發(fā)明專利]光刻膠的去膠方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010579225.2
• 申請(qǐng)日: 2020-06-23
• 公開（公告）號(hào): CN111722479B
• 公開（公告）日: 2023-09-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 連慶慶;蔣中偉;王京
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號(hào): G03F7/42
• 分類號(hào): G03F7/42
• 代理公司: 北京國昊天誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11315
• 代理人: 施敬勃

本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N光刻膠的去膠方法，包括：傳輸步驟，將完成刻蝕工藝后的晶圓傳入去膠腔室；準(zhǔn)備步驟，向去膠腔室通入輔助氣體，同時(shí)對(duì)去膠腔室進(jìn)行抽氣使去膠腔室處于第一預(yù)設(shè)壓力，流經(jīng)去膠腔室的輔助氣體攜帶附著在光刻膠上的刻蝕副產(chǎn)物排出去膠腔室；去膠步驟，向去膠腔室通入工藝氣體，激發(fā)工藝氣體形成等離子體，以刻蝕光刻膠；循環(huán)執(zhí)行準(zhǔn)備步驟和去膠步驟。應(yīng)用本申請(qǐng)，可以通過在去膠腔室內(nèi)流動(dòng)的輔助氣體攜帶不揮發(fā)性刻蝕副產(chǎn)物一同排出去膠腔室，以實(shí)現(xiàn)去除晶圓表面的不揮發(fā)性刻蝕副產(chǎn)物的目的，從而更有利于殘留光刻膠的去除。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種的光刻膠的去膠方法。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，氧化銦錫(Indium?Tin?Oxide，簡稱ITO，銦氧化物In2O3和錫氧化物SnO2的混合物)因其具有高電導(dǎo)率、高透射率、較好地高溫穩(wěn)定性以及制備和膜層刻蝕工藝簡單等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于光電器件中。而鋁(Al)因其具有低電阻率，低成本，易刻蝕等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于薄膜晶體管連線，例如生長ITO膜層的襯底。隨著移動(dòng)終端的發(fā)展，對(duì)器件的性能要求越來越高，從而對(duì)器件制造過程中的工藝要求也越來越高。鋁基氧化銦錫膜層(包括下層的鋁膜層和上層的氧化銦錫膜層，Al-ITO膜層)干法刻蝕相對(duì)于濕法刻蝕，具有各向異性好，特征尺寸精確控制等優(yōu)點(diǎn)，被應(yīng)用于液晶顯示面板領(lǐng)域。

Al-ITO膜層刻蝕過程中，刻蝕Al膜層產(chǎn)生的含Al副產(chǎn)物，部分揮發(fā)被抽離腔室，少部分沉積在Al側(cè)壁。刻蝕ITO膜層產(chǎn)生的含In和/或Sn的副產(chǎn)物，一部分被抽離腔室，一部分沉積到Al-ITO側(cè)壁以及光刻膠(photoresist，簡稱PR)的側(cè)壁和表面。帶圖形的Al-ITO膜層通過干法刻蝕后，需要進(jìn)行干法去膠工藝，然后再進(jìn)行濕法清洗。

現(xiàn)有技術(shù)中，通常應(yīng)用Al膜層刻蝕后的去膠工藝，在金屬去膠腔室進(jìn)行Al-ITO膜層刻蝕后的去膠過程。Al膜層的去膠工藝過程主要包括兩步，一是使用氧氣(O₂)去除殘留PR成分，另一步是使用離化的水蒸汽(H₂O)與Al膜層的側(cè)壁反應(yīng)產(chǎn)生鈍化層，保護(hù)Al側(cè)壁免受腐蝕。但是Al和ITO刻蝕沉積物的成分和類型不同，應(yīng)用Al膜層刻蝕后的去膠工藝只能去除PR及與氧氣反應(yīng)能夠生成揮發(fā)性物質(zhì)的刻蝕副產(chǎn)物，而無法去除刻蝕ITO膜層產(chǎn)生的含In和/或Sn的副產(chǎn)物(不揮發(fā))，且其覆蓋在PR表面阻礙了去膠工藝中PR與O₂的灰化過程，使得去膠完成后仍然有較多的殘留物，尤其是晶片中心位置，去膠效果較差。并且在采用H₂O與Al膜層反應(yīng)產(chǎn)生鈍化層時(shí)，H₂O電離的等離子體與ITO膜層的表面反應(yīng)，對(duì)ITO膜層造成一定的損傷，導(dǎo)致ITO膜層的表面粗糙。由上可知，目前的這種去膠工藝嚴(yán)重影響了器件的良率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提出了一種的光刻膠的去膠方法，其用于去除晶圓刻蝕后殘留的光刻膠和刻蝕過程中沉積在晶圓表面的副產(chǎn)物。

為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的而提供一種光刻膠的去膠方法，包括：

傳輸步驟，將完成刻蝕工藝后的晶圓傳入去膠腔室，所述晶圓的表面殘留有光刻膠；

準(zhǔn)備步驟，向所述去膠腔室通入輔助氣體，同時(shí)對(duì)所述去膠腔室進(jìn)行抽氣使所述去膠腔室處于第一預(yù)設(shè)壓力，流經(jīng)所述去膠腔室的輔助氣體攜帶附著在所述光刻膠上的刻蝕副產(chǎn)物排出所述去膠腔室；

去膠步驟，向所述去膠腔室通入工藝氣體，激發(fā)所述工藝氣體形成等離子體，以刻蝕所述光刻膠；

循環(huán)執(zhí)行所述準(zhǔn)備步驟和所述去膠步驟，以去除所述光刻膠和所述刻蝕副產(chǎn)物。

可選地，所述晶圓的表面有鋁膜層，所述鋁膜層上有氧化銦錫膜層，所述光刻膠在所述氧化銦錫膜層上。

可選地，所述循環(huán)執(zhí)行所述準(zhǔn)備步驟和所述去膠步驟之后，還包括：