[發(fā)明專利]一種基于光尋址電位傳感器檢測(cè)GPC3的方法有效
申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010578793.0 | 申請(qǐng)日: | 2020-06-23 |
公開(公告)號(hào): | CN111693571B | 公開(公告)日: | 2023-03-03 |
發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李桂銀;周治德;趙樂(lè);陳敏 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 桂林電子科技大學(xué) |
主分類號(hào): | G01N27/00 | 分類號(hào): | G01N27/00;G01N23/2251;G01N33/68 |
代理公司: | 桂林市華杰專利商標(biāo)事務(wù)所有限責(zé)任公司 45112 | 代理人: | 周雯 |
地址: | 541004 廣西*** | 國(guó)省代碼: | 廣西;45 |
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摘要: | |||
搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 尋址 電位 傳感器 檢測(cè) gpc3 方法 | ||
一種基于光尋址電位傳感器檢測(cè)GPC3的方法:將LAPS芯片、光源驅(qū)動(dòng)電路、信號(hào)放大電路、和LabVIEW平臺(tái)組成了LAPS實(shí)時(shí)測(cè)試系統(tǒng)。設(shè)計(jì)合成了AuNPs/PEI?rGO復(fù)合材料;將AuNPs/PEI?rGO和GPC3?Apt修飾在LAPS芯片形成敏感單元。在敏感單元上滴加GPC3標(biāo)準(zhǔn)溶液,形成LAPS的測(cè)試基片;在外加偏置電壓作用下,LAPS測(cè)試基片上GPC3與GPC3?Apt的特異性結(jié)合導(dǎo)致敏感單元表面的電勢(shì)的改變,I?V曲線產(chǎn)生相應(yīng)的偏移;該偏移量與GPC3濃度在0.1?100μg/mL表現(xiàn)出良好的線性關(guān)系,實(shí)現(xiàn)了對(duì)GPC3的檢測(cè)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于生物檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種基于光尋址電位傳感器檢測(cè)GPC3的方法。
背景技術(shù)
Glypican-3(GPC3)即磷脂酰肌醇蛋白多糖3,檢測(cè)方法主要方法有熒光免疫分析法、酶聯(lián)免疫吸附法(ELISA)、電化學(xué)分析方法等。免疫學(xué)方法測(cè)定血清GPC3其檢測(cè)敏感性差而難以臨床轉(zhuǎn)化應(yīng)用。公開號(hào)為CN 106645724A的發(fā)明專利,公開了一種循環(huán)腫瘤細(xì)胞表面標(biāo)志分子GPC3的檢測(cè)方法,通過(guò)對(duì)血液進(jìn)行紅細(xì)胞裂解,利用納米技術(shù)使剩余有核細(xì)胞全部平鋪富集在納米基底上固定,用細(xì)胞核熒光染料DAPI標(biāo)記出所有細(xì)胞,用GPC3一抗孵育所有細(xì)胞,再用標(biāo)記有FITC熒光基團(tuán)的二抗孵育,最后通過(guò)高通量技術(shù)掃描。公開號(hào)為CN101290318 B的發(fā)明專利公開了一種用于診斷肝癌的ELISA試劑盒。但方法操作繁瑣、復(fù)雜,費(fèi)用昂貴
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種基于光尋址電位傳感器檢測(cè)GPC3的方法。首先設(shè)計(jì)一種金納米粒子/聚乙烯亞胺-還原氧化石墨烯(AuNPs/PEI-rGO)復(fù)合材料,將AuNPs/PEI-rGO復(fù)合材料和GPC3適配體(GPC3-Apt)修飾在 LAPS 芯片形成敏感單元,設(shè)計(jì)了一種能特異性檢測(cè)血清中GPC3水平的光尋址電位傳感器。該方法具有高穩(wěn)定性、高靈敏度、檢測(cè)時(shí)間短、所需的樣品數(shù)量少等。
本發(fā)明的檢測(cè)原理:將LAPS 測(cè)試基片、光源驅(qū)動(dòng)電路、信號(hào)放大電路、和 LabVIEW平臺(tái)組成了 LAPS 實(shí)時(shí)測(cè)試系統(tǒng)。設(shè)計(jì)合成了金納米粒子/聚乙烯亞胺-還原氧化石墨烯(AuNPs/PEI-rGO)復(fù)合材料,將 AuNPs/PEI-rGO 和 GPC3-Apt 修飾在 LAPS 芯片形成敏感單元。在 LAPS 敏感單元上滴加 GPC3 標(biāo)準(zhǔn)溶液,形成 LAPS 的測(cè)試基片。將 LAP的測(cè)試基片放到 LAPS 測(cè)試系統(tǒng),在外加偏置電壓作用下,LAPS 測(cè)試基片上 GPC3與 GPC3-Apt 的特異性結(jié)合導(dǎo)致敏感單元表面的電勢(shì)的改變,(I-V)曲線產(chǎn)生相應(yīng)的偏移。該偏移量與GPC3 濃度在 0.1-100μg/mL 表現(xiàn)出良好的線性關(guān)系,實(shí)現(xiàn)對(duì)GPC3的檢測(cè)。本發(fā)明按照以下步驟進(jìn)行:
步驟1:AuNPs/PEI-rGO 復(fù)合材料的制備
(1)首先,取氯金酸溶液放入圓底燒瓶中,攪拌直至沸騰。然后將檸檬酸鈉溶液緩緩加入沸騰了的氯金酸溶中,溶液繼續(xù)維持沸騰狀態(tài),攪拌后,溶液的顏色從無(wú)色變藍(lán)色再變?yōu)榫萍t色,最終冷卻到室溫;
(2)以氧化石墨烯(GO)為原料,利用抗壞血酸為還原劑,制得還原氧化石墨烯(rGO)的穩(wěn)定分散液,其次與 PEI混合并回流加熱。得到的黑色分散液使用超純水洗滌,離心,在室內(nèi)空氣中干燥;
(3)通過(guò)簡(jiǎn)單的方法合成AuNPs/PEI-rGO復(fù)合材料。將PEI-rGO 和@AuNPs 混合過(guò)夜。將得到的混合物離心。沉淀物最終分散在蒸餾水中。
步驟2:LAPS 芯片敏感單元的構(gòu)建
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