[發明專利]霍爾傳感器和檢測霍爾傳感器應力影響程度的方法

有效

• 申請號: 202010578668.X
• 申請日: 2020-06-23
• 公開（公告）號: CN111780798B
• 公開（公告）日: 2022-07-05
• 發明（設計）人: 朱奇良;簡衛;張欣;董火新;覃尚友
• 申請（專利權）人: 深圳市飛仙智能科技有限公司
• 主分類號: G01D18/00
• 分類號: G01D18/00
• 代理公司: 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 李金偉

本申請涉及電子技術領域，提供了一種霍爾傳感器、檢測霍爾傳感器應力影響程度的方法以及計算機可讀存儲介質，其中，一種霍爾傳感器，包括霍爾感應單元矩陣與霍爾感應層電阻，霍爾感應層電阻分布在每個霍爾感應單元的周圍，由于霍爾感應層電阻在襯底上的層次結構與霍爾感應單元在襯底上的層次結構相同，因此霍爾感應層電阻可以作為霍爾感應單元的代替對象，在需要對霍爾感應單元進行應力影響檢測時，可以基于分布在每個霍爾感應單元邊緣周圍的霍爾感應層電阻的電阻值，確定出霍爾傳感器的應力影響程度，無需直接對霍爾感應單元進行檢測，能夠避免過于繁瑣的時序方案配置過程，提高了檢測效率。

技術領域

本申請屬于電子技術領域，尤其涉及一種霍爾傳感器、檢測霍爾傳感器應力影響程度的方法以及計算機可讀存儲介質。

背景技術

霍爾傳感器是根據霍爾效應制作的一種磁場傳感器，被廣泛應用于各種領域。當半導體上外加與電流方向垂直的磁場，使得半導體中的電子與空穴受到不同方向的洛倫茲力而在不同方向上聚集，在聚集起來的電子與空穴之間會產生電場，電場力與洛倫茲力產生平衡之后，電子或空穴則不再聚集，此時電場將會使后來的電子和空穴受到電場力的作用而平衡掉磁場對其產生的洛倫茲力，使得后來的電子和空穴能順利通過不會偏移，這個現象稱為霍爾效應。

在霍爾傳感器的制造環節中，選用的摻雜物不同、摻雜濃度不同，制造出來的霍爾傳感器的感應能力就會有所不同。在實際使用霍爾傳感器的過程中，受到應力影響，霍爾傳感器的感應精度也會受到一定影響。現有技術中，在對霍爾傳感器進行應力影響檢測時，將霍爾傳感器接入檢測電路中，通過采集霍爾傳感器在檢測電路中的電信號，并基于該電信號進行測算最終預估應力對霍爾傳感器的影響，但是在將霍爾傳感器接入檢測電路中直接進行檢測時，需要配置較為復雜的時序方案，且基于采集到的電信號預估應力對霍爾傳感器的影響，該預估的測算過程較為復雜，由此可見，現有技術中直接對霍爾傳感器進行應力影響檢測，存在實現方案復雜以及檢測效率較低的問題。

發明內容

本申請的目的在于提供一種霍爾傳感器、檢測霍爾傳感器應力影響程度的方法以及計算機可讀存儲介質，旨在解決現有技術中直接對霍爾傳感器進行應力影響檢測，存在實現方案復雜以及檢測效率較低的問題。

本申請實施例的第一方面提供了一種霍爾傳感器，設置在襯底上，所述霍爾傳感器包括：

霍爾感應單元矩陣，包括N個霍爾感應單元；其中，N為大于0的整數；

霍爾感應層電阻，分布在每個所述霍爾感應單元的邊緣周圍；

其中，所述霍爾感應層電阻在所述襯底上的層次結構與所述霍爾感應單元在所述襯底上的層次結構相同。

本申請實施例第一方面提供的一種霍爾傳感器，包括霍爾感應單元矩陣與霍爾感應層電阻，其中，霍爾感應單元矩陣包括N個霍爾感應單元，霍爾感應層電阻分布在每個霍爾感應單元的邊緣周圍，由于霍爾感應層電阻在襯底上的層次結構與霍爾感應單元在襯底上的層次結構相同，因此霍爾感應層電阻可以作為霍爾感應單元的代替對象，在需要對霍爾感應單元進行應力影響檢測時，可以通過測算分布在每個霍爾感應單元邊緣周圍的霍爾感應層電阻的電阻值，再基于電阻值確定出霍爾傳感器的應力影響程度，從而間接實現對霍爾感應單元的應力影響檢測，無需直接對霍爾感應單元進行檢測，能夠避免過于繁瑣的時序方案配置過程，簡化了實現方案，提高了檢測效率。

上述方案中，所述霍爾感應單元的邊緣在所述襯底上呈矩形，所述霍爾感應單周圍分布四個所述霍爾感應層電阻，且在所述霍爾感應單元矩陣中相鄰的兩個所述霍爾感應單元之間僅有一個所述霍爾感應層電阻。

上述方案中，所述霍爾感應單元的邊緣在所述襯底上呈多邊形或十字形，所述霍爾感應層電阻沿所述霍爾感應單元的邊緣分布。

上述方案中，所述霍爾傳感器還包括：