[發(fā)明專利]具有預(yù)制的鐵氧體芯的同軸磁感應(yīng)器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010578264.0
• 申請(qǐng)日: 2020-06-22
• 公開（公告）號(hào): CN112635439A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: K·拉達(dá)克里希南;K·巴拉斯;C·亨德里克斯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 英特爾公司
• 主分類號(hào): H01L23/64
• 分類號(hào): H01L23/64
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 舒雄文

1.一種感應(yīng)器，包括：

襯底層中的多個(gè)鍍覆通孔(PTH)過孔；

在所述襯底層中的具有多個(gè)開口的多個(gè)磁互連，其中，所述多個(gè)磁互連的所述多個(gè)開口圍繞所述多個(gè)PTH過孔；

所述襯底層中的絕緣層，其中，所述絕緣層圍繞所述多個(gè)PTH過孔和所述多個(gè)磁互連；

在所述多個(gè)PTH過孔、所述多個(gè)磁互連和所述絕緣層之上的第一導(dǎo)電層；以及

在所述多個(gè)PTH過孔、所述多個(gè)磁互連和所述絕緣層下方的第二導(dǎo)電層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的感應(yīng)器，其中，所述多個(gè)磁互連具有基本上等于所述多個(gè)PTH過孔的厚度的厚度，其中，所述多個(gè)磁互連被成形為多個(gè)中空?qǐng)A柱形磁芯，其中，所述多個(gè)中空?qǐng)A柱形磁芯包括一種或多種磁性材料，其中，所述多個(gè)中空?qǐng)A柱形磁芯是多個(gè)鐵電芯，其中，所述一種或多種磁性材料包括一種或多種鐵磁材料，并且其中，所述一種或多種鐵磁材料包括鈷(Co)、鐵(Fe)、氧化鐵(III)(Fe₂O₃)、氧化鐵(II)(FeO)與氧化鐵(III)(FeOFe₂O₃)、氧化鎳(NiO)與氧化鐵(III)(NiOFe₂O₃)、氧化銅(II)(CuO)與氧化鐵(III)(CuOFe₂O₃)、氧化鎂(MgO)與氧化鐵(III)(MgOFe₂O₃)、鉍化錳(III)(MnBi)、鎳(Ni)、銻化錳(III)(MnSb)、氧化錳(II)(MnO)與氧化鐵(III)(MnOFe₂O₃)、氧化釔鐵(Y₃Fe₅O₁₂)、氧化鉻(IV)(CrO₂)、砷化錳(III)(MnAs)或碲化鎘鋅(CdZnTe)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的感應(yīng)器，其中，所述襯底層具有基本上等于所述多個(gè)PTH過孔的厚度的厚度，并且其中，所述多個(gè)磁互連的所述多個(gè)開口從所述第二導(dǎo)電層垂直延伸到所述第一導(dǎo)電層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的感應(yīng)器，其中，所述多個(gè)PTH過孔從所述第二導(dǎo)電層垂直延伸到所述第一導(dǎo)電層，并且其中，所述多個(gè)PTH過孔將所述第二導(dǎo)電層導(dǎo)電耦合到所述第一導(dǎo)電層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的感應(yīng)器，其中，所述多個(gè)磁互連的所述多個(gè)開口暴露所述多個(gè)磁互連的多個(gè)內(nèi)側(cè)壁。

6.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的感應(yīng)器，其中，所述多個(gè)磁互連的所述多個(gè)內(nèi)側(cè)壁完全圍繞所述多個(gè)PTH過孔的多個(gè)外側(cè)壁，其中，所述多個(gè)PTH過孔具有寬度，并且其中，所述多個(gè)磁互連的所述多個(gè)開口具有第一寬度或第二寬度。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的感應(yīng)器，其中，所述多個(gè)磁互連的所述多個(gè)開口具有大于所述多個(gè)PTH過孔的寬度的所述第一寬度，或者其中，所述多個(gè)磁互連的所述多個(gè)開口具有基本上等于所述多個(gè)PTH過孔的寬度的所述第二寬度。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的感應(yīng)器，其中，當(dāng)所述多個(gè)磁互連的所述多個(gè)開口具有所述第一寬度時(shí)，所述絕緣層在所述多個(gè)磁互連的所述多個(gè)開口中，并且其中，當(dāng)所述多個(gè)磁互連的所述多個(gè)開口具有所述第一寬度時(shí)，所述絕緣層直接在所述多個(gè)磁互連的所述多個(gè)內(nèi)側(cè)壁與所述多個(gè)PTH過孔的所述多個(gè)外側(cè)壁之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的感應(yīng)器，其中，當(dāng)所述多個(gè)磁互連的所述多個(gè)開口具有所述第二寬度時(shí)，所述絕緣層在所述多個(gè)磁互連的所述多個(gè)開口中，所述多個(gè)磁互連的所述多個(gè)內(nèi)側(cè)壁與所述多個(gè)PTH過孔的所述多個(gè)外側(cè)壁直接相鄰并導(dǎo)電耦合，并且其中，當(dāng)所述多個(gè)磁互連的所述多個(gè)開口具有所述第二寬度時(shí)，所述絕緣層僅在所述多個(gè)磁互連與所述襯底層中間。