[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體基板、半導(dǎo)體裝置、及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010577927.7
• 申請(qǐng)日: 2020-06-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113838904A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-12-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳志諺
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 世界先進(jìn)積體電路股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/06
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/06;H01L29/10;H01L29/778;H01L21/336
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 王天堯;湯在彥

1.一種半導(dǎo)體基板，其特征在于，包括：

一陶瓷基材，其具有一正表面及一背表面，且該正表面為一非平坦的表面；

一晶種層，位于該陶瓷基材的該正表面上；以及

一成核層，位于該晶種層上。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基板，其特征在于，該陶瓷基材材料包括碳化硅、氮化鋁或氧化鋁。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基板，其特征在于，該晶種層共形地設(shè)置于該非平坦的表面。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體基板，其特征在于，該成核層具有實(shí)質(zhì)上平坦的一上表面。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基板，其特征在于，該晶種層具有實(shí)質(zhì)上平坦的一上表面。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體基板，其特征在于，更包括一介電填料，其位于該晶種層下且填充于該陶瓷基材的該正表面上的多個(gè)凹孔。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體基板，其特征在于，該介電填料包括硼磷硅酸鹽玻璃、硼硅酸玻璃、磷硅酸玻璃、四乙氧基硅烷氧化物、二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其組合。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基板，其特征在于，該晶種層為單晶或多晶氮化鋁。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體基板，其特征在于，該成核層材料為鋁的III-V族化合物。

10.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：

如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體基板；

一化合物半導(dǎo)體層，設(shè)置于該成核層上；

一柵極，設(shè)置于該化合物半導(dǎo)體層上；以及

一源極及一漏極，設(shè)置于該化合物半導(dǎo)體層上且位于該柵極的兩側(cè)。

11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該化合物半導(dǎo)體層包括：

一緩沖層，設(shè)置于該成核層上；

一通道層，設(shè)置于該緩沖層上；以及

一阻擋層，設(shè)置于該通道層上。

12.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

提供一陶瓷基材，其具有一正表面及一背表面，且該正表面為一非平坦的表面；

形成一晶種層于該陶瓷基材的該正表面上；以及

形成一成核層于該晶種層上。

13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，該晶種層是共形地沉積于該非平坦的表面。

14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征資源，該成核層具有實(shí)質(zhì)上平坦的一上表面。

15.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，更包括：

沉積一介電填料，其位于該晶種層下且填充于該陶瓷基材的該正表面上的多個(gè)凹孔；以及

進(jìn)行平坦化工藝，使該介電填料和該陶瓷基材實(shí)質(zhì)上共平面。

16.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，該介電填料是利用硼磷硅酸鹽玻璃、硼硅酸玻璃、磷硅酸玻璃、四乙氧基硅烷氧化物、二氧化硅、氮化硅、或其組合所形成。

17.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，該晶種層具有實(shí)質(zhì)上平坦的一上表面。

18.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，該晶種層是利用原子層沉積、有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積、及氫化物氣相外延來(lái)形成。