[發明專利]保持裝置在審
| 申請號: | 202010577890.8 | 申請日: | 2020-06-23 |
| 公開(公告)號: | CN112133663A | 公開(公告)日: | 2020-12-25 |
| 發明(設計)人: | 岡村卓 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 喬婉;于靖帥 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 保持 裝置 | ||
提供保持裝置,其能夠容易地從保持工作臺取下被加工物。保持裝置具有:保持工作臺,其具有保持被加工物的保持面,在保持面上形成有對被加工物的外周部進行吸引的環狀的吸引槽;以及氣體提供單元,其配置于保持面的外周緣的外側,朝向保持面與保持面所保持的被加工物之間提供氣體,吸引槽與對吸引槽作用負壓的吸引源和向吸引槽提供流體的流體提供源連接。
技術領域
本發明涉及保持被加工物的保持裝置。
背景技術
通過對形成有IC(Integrated Circuit:集成電路)、LSI(Large ScaleIntegration:大規模集成)等器件的半導體晶片進行分割,制造出分別具有器件的多個半導體器件芯片。另外,通過對封裝基板進行分割來制造封裝器件,該封裝基板是通過利用由樹脂制成的密封材料(模制樹脂)對安裝在基板上的多個半導體器件芯片進行覆蓋而形成的。該封裝器件內置于以移動電話或個人計算機為代表的各種電子設備中。
近年來,隨著電子設備的小型化、薄型化,對半導體器件芯片和封裝器件也要求薄型化。因此,使用對分割前的半導體晶片或封裝基板進行磨削而進行薄化的方法。
在以上述半導體晶片和封裝基板為代表的被加工物的分割中,例如采用利用環狀的切削刀具對被加工物進行切削的切削裝置。另外,在被加工物的薄化中,例如采用利用磨削磨輪對被加工物進行磨削的磨削裝置。
在切削裝置或磨削裝置等加工裝置中具有保持被加工物的保持工作臺。例如在專利文獻1中公開了具有由多孔陶瓷等多孔質部件構成的多孔板的保持工作臺。多孔板的上表面構成保持被加工物的保持面,該保持面與吸引源連接。在將被加工物配置在多孔板的保持面上的狀態下,通過使吸引源的負壓作用于保持面,被加工物被保持臺吸引保持。
專利文獻1:日本特開2004-14939號公報
在上述的保持工作臺中,由在上表面具有微細的凹凸的多孔質部件構成保持面。若利用該保持面保持被加工物,則被加工物沿著保持面的凹凸而變形,有時被加工物的上表面的高度位置產生偏差。該高度位置的偏差成為加工被加工物時的加工精度降低的主要原因。另外,若被加工物的加工所產生的屑(加工屑)等異物進入保持面的凹凸,則難以去除異物,即使清洗保持工作臺,異物也會殘留在保持面上。
因此,有時代替多孔質部件而使用由金屬等制成的非多孔質部件來構成保持面的保持工作臺。在該保持臺中,在保持面的外周部形成有吸引槽,通過該吸引槽對被加工物的外周部進行吸引,被加工物被保持面吸引保持。
當保持工作臺的保持面由非多孔質部件構成時,與使用多孔質部件的情況相比,保持面的平坦性提高。因此,在利用保持工作臺保持被加工物時,被加工物沿著保持面被平坦地保持,降低了被加工物的上表面的高度位置的偏差。另外,即使在保持面上附著有加工屑等異物,由于保持面平坦,因此通過清洗保持工作臺能夠容易地去除異物。
另外,在利用加工裝置加工被加工物時,以去除加工屑或冷卻被加工物等為目的,提供純水等加工液。該加工液有時在被加工物的加工中進入被加工物與保持工作臺的保持面之間。在此,特別是若保持面由非多孔質部件構成,則加工液容易殘留在被加工物與保持面之間。其結果是,被加工物隔著加工液而被吸附于保持面,有時在加工完成后難以從保持工作臺取下被加工物。
因此,在從保持工作臺取下被加工物時,使用通過從形成于保持面的吸引槽朝向被加工物噴射空氣等來輔助被加工物的取下的方法。但是,有時被加工物強力地吸附于保持面,即使進行空氣的噴射,被加工物也不會從保持面離開。另外,若為了使被加工物從保持面離開而提高空氣的噴射量,則僅與吸引槽重疊的被加工物的外周部局部地被強力上推,被加工物有可能變形或損傷。
發明內容
本發明是鑒于上述問題而完成的,其目的在于提供一種能夠容易地從保持工作臺取下被加工物的保持裝置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





