[發(fā)明專利]去耦合電容器封裝結(jié)構(gòu)與其制作方法

在審

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• 申請日: 2020-06-23
• 公開（公告）號: CN112309962A
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發(fā)明（設計）人: 郭豐維;廖文翔
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/522;H01L23/528
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種半導體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包含：

沉積一聚合物層于一載體基板上；

形成一第一電容器結(jié)構(gòu)和一第二電容器結(jié)構(gòu)于該聚合物層上，其中形成該第一電容器結(jié)構(gòu)和該第二電容器結(jié)構(gòu)包含：

形成一第一重分布層于該聚合物層的一部分上，該第一重分布層包含多個金屬線；

沉積一光阻層于該第一重分布層上；

蝕刻該光阻層，以在該光阻層中形成間隔開的一第一中介層通孔開口和一第二中介層通孔開口，以暴露該重分配層的一金屬線的各別的多個部分，其中該第一中介層通孔開口比該第二中介層通孔開口寬；

沉積一金屬于該第一中介層通孔開口和該第二中介層通孔開口中，以分別形成與該金屬線接觸的一第一中介層通孔結(jié)構(gòu)和一第二中介層通孔結(jié)構(gòu)；

去除該光阻層；

形成一高介電常數(shù)介電質(zhì)于該第一中介層通孔結(jié)構(gòu)和該第二中介層通孔結(jié)構(gòu)的一頂表面上；以及

沉積一金屬層于該高介電常數(shù)介電層上以分別地形成一第一電容器和一第二電容器；以及

形成一第二重分布層于該第一電容器和該第二電容器上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在形成該第二重分布層之前，附著一個或多個晶片于與該第一中介層通孔結(jié)構(gòu)和該第二中介層通孔結(jié)構(gòu)相鄰的該聚合物層上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包含：

形成一第三重分布層于該第二重分布層上；

將多個焊錫凸塊附接到該第三重分布層；

將一印刷電路板附接到該些焊錫凸塊上；以及

去除該載體基板。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，蝕刻該光阻層以形成間隔開的該第一中介層通孔開口和該第二中介層通孔開口包含形成具有實質(zhì)上相等長度的該第一中介層通孔開口和該第二中介層通孔開口。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成該高介電常數(shù)介電質(zhì)包含形成具有一氧化鋯(ZrO₂)的底層、一氧化鋁(Al₂O₃)的中間層和一氧化鋯(ZrO₂)的頂層的一堆疊。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成該第一電容器結(jié)構(gòu)和該第二電容器結(jié)構(gòu)包含基于該第一中介層通孔結(jié)構(gòu)和該第二中介層通孔結(jié)構(gòu)的一長度和一寬度來形成具有比該第二電容器更大的一表面積的該第一電容器。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成該高介電常數(shù)介電質(zhì)包含：

將一基于環(huán)氧樹脂的材料設置為圍繞該第一中介層通孔結(jié)構(gòu)和該第二中介層通孔結(jié)構(gòu)的多個側(cè)壁；

沉積一高介電常數(shù)介電材料于該基于環(huán)氧樹酯的材料以及該第一中介層通孔結(jié)構(gòu)和該第二中介層通孔結(jié)構(gòu)上；以及

蝕刻該高介電常數(shù)介電材料于該基于環(huán)氧樹脂的材料中。

8.一種中介層結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含：

一聚合物層；

一第一重分布層，位于該聚合物層上；

多個間隔開的電容器結(jié)構(gòu)，在該第一重分布層上具有不同的表面積，其中每個該些間隔開的電容器結(jié)構(gòu)包含：

一中介層通孔，與該第一重分布層接觸，其中該電容器結(jié)構(gòu)的一表面積系基于該中介層通孔的一長度和一寬度；

一介電材料，覆蓋該中介層通孔的一頂表面，其中該介電材料與該中介層通孔和該第一重分布層的多個側(cè)壁間隔開；以及

一頂部金屬層，位于該介電材料上；

一晶片，附著在該聚合物層上并與該些間隔開的電容器結(jié)構(gòu)相鄰；

一模塑料，設置在該晶片和每個該些間隔的電容器結(jié)構(gòu)之間；以及

一第二重分布層，設置在該晶片和該些間隔開的電容器結(jié)構(gòu)上。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的中介層結(jié)構(gòu)，其特征在于，該些間隔開的電容器結(jié)構(gòu)包含具有一第一中介層通孔的一第一電容器結(jié)構(gòu)和具有一第二中介層通孔的一第二電容器結(jié)構(gòu)，其中該第一中介層通孔具有與該第二中介層通孔不同的一寬度或一長度。

10.一種半導體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含：

一第一重分布層，包含多個焊錫凸塊；

一中介層結(jié)構(gòu)，用以電連接到該第一重分布層，并且包含：

多個電容器結(jié)構(gòu)，其中每個該些電容器結(jié)構(gòu)包含：

一中介層通孔，用以電耦合到該第一重分布層；

一高介電常數(shù)介電質(zhì)，位于該中介層通孔上；

一金屬層，位于該高介電常數(shù)介電質(zhì)上；以及

一個或多個晶片；以及

一模塑料，圍繞該或該些晶片和該些電容器結(jié)構(gòu)。